三星K6T0808C1D低功耗CMOS静态RAM规格更新

SAMSUNG-K6T0808C1D.pdf 是一份关于三星(KM62256系列)32Kx8位低功耗CMOS静态随机存取存储器(SRAM)的规格说明书。这份文档详细列出了该系列芯片的多个版本及其改进历程，旨在提供技术参数、性能提升和功耗优化的信息。 在早期版本（0.0）中，主要关注了以下几个方面： 1. 功耗降低：在KM62256DL/DLIISB1引脚的静态电流由100μA降低至50μA，而在KM62256DL-LISB1上，从20μA降至10μA，对于KM62256DLI-LISB1，电流也从50μA下降到15μA。 2. 电容值优化：输入和输出电容（CIN和CIO）分别从6pF和8pF调整至8pF和10pF。 随着后续修订（如1.0版），进一步提升了性能： - KM62256D-4/5/7家族的读操作时间tOH缩短至10ns，提高了数据传输速度。 - 写入电流有所改善，ICC2从70mA降低到60mA，减少了动态功耗。 - 处于待机模式时，ISB1引脚的电流也有明显下降，如KM62256DL/DLIISB1从50μA降低到30μA，而KM62256DL-LISB1和KM62256DLI-LISB1的电流分别降至5μA和5μA。 - 数据保留电流降低，例如KM62256DL/DLIIDR的电流从30μA减小到5μA，而KM62256DL-L/DLI-LIDR则从15μA降至3μA。 值得注意的是，该系列产品的部分规格（如45ns和100ns部分）进行了调整，商业产品中测试负载从100pF降至50pF，工业产品则有更严格的规格要求。 最后，文档提到了版权声明，三星电子保留对规格和产品进行修改的权利，并鼓励用户提问以获取关于设备的最新信息。该文档提供了重要的设计目标和历史演变，对于电子工程师和系统设计师来说，是理解三星32Kx8位低功耗SRAM技术的关键参考资料。