2SK1848-VB：SOT23封装N-Channel MOSFET技术参数

"2SK1848-VB是一款由SOT23封装的N-Channel场效应MOS管，适用于电池开关和DC/DC转换器等应用。该器件具有60V的额定漏源电压（VDS），在VGS=10V时的RDS(ON)为85mΩ，且通过了100%的Rg和UIS测试，确保了其可靠性和稳定性。" 2SK1848-VB是一款由东芝或其他制造商生产的N沟道60V MOSFET，其小型SOT23封装使其适合在空间有限的应用中使用。这个场效应管采用了TrenchFET技术，这是一种先进的制造工艺，能够在保持较低电阻的同时减小芯片的体积，提高功率密度。 该MOSFET的特性包括： 1. 符合IEC61249-2-21标准的无卤素设计，符合环保要求。 2. 采用TrenchFET结构，提供优秀的开关性能和低导通电阻。 3. 通过100%的Rg和UIS测试，确保了良好的栅极电阻控制和绝缘强度，从而提高了设备的耐用性和安全性。 2SK1848-VB的主要应用领域： - 电池开关：在需要高效、低损耗切换电池电源的场合，如便携式设备或电动汽车电池管理系统。 - DC/DC转换器：用于电压转换和稳压，特别是在需要高效率和小尺寸的电源解决方案中。 参数规格： - 漏源电压VDS的最大值为60V，保证了它在高电压环境下的稳定性。 - 当栅源电压VGS为10V时，连续漏极电流ID为4A，满足中等电流需求。 - 导通电阻RDS(ON)在VGS=10V时为85mΩ，VGS=4.5V时为86mΩ，低RDS(ON)意味着在导通状态下功耗较小。 - 静态电荷Qg（典型值）为2.1nC，表明开关速度快，开关损耗低。 - 最大结温TJ为150°C，保证了在高温环境下的稳定工作。 - 最大功率耗散PD在不同温度下有所不同，确保了散热能力，避免过热问题。 总结来说，2SK1848-VB是一款高性能、紧凑型的N沟道MOSFET，适用于需要高效能、低损耗和小型化封装的电子设备，如电源管理、电池电路和DC/DC转换。其特点在于其低导通电阻和高可靠性，以及符合环保的无卤素设计。