NTD5807NT4G-VB：N沟道TrenchFET MOSFET技术参数与应用

"NTD5807NT4G-VB是一款由N沟道技术制造的TrenchFET®功率MOSFET，其封装形式为TO252。这款晶体管适用于OR-ing、服务器以及DC/DC转换等应用。产品符合RoHS指令2011/65/EU的要求，并经过100%的Rg和UIS测试。" NTD5807NT4G-VB场效应管是设计用于高效能电源管理的半导体元件。其主要特性包括： 1. **TrenchFET®技术**：这种技术利用精密的沟槽结构来提高MOSFET的开关性能，降低导通电阻，从而在高电流操作中实现更低的功耗和更高的效率。 2. **100% Rg和UIS测试**：Rg测试确保了栅极电阻的一致性和可靠性，而UIS（雪崩耐受电流）测试则验证了器件在过电压条件下的稳定性，增强了安全使用性。 3. **RoHS合规**：该器件遵循欧盟的RoHS（有害物质限制）指令2011/65/EU，意味着它不含有害物质，符合环保标准。 4. **应用广泛**：NTD5807NT4G-VB适用于OR-ing电路，即并联电源以提供冗余或增加电流容量；服务器电源系统，保证高效稳定供电；以及DC/DC转换器，用于电压转换和稳压。 在电气参数方面，该MOSFET有以下关键规格： - **额定电压** (VDS)：40V，这意味着MOSFET可以承受的最大电压差在源极和漏极之间。 - **导通电阻** (RDS(on))：在VGS = 10V时典型值为0.013Ω，这决定了MOSFET在导通状态下的电阻，低RDS(on)表示低损耗。 - **最大连续漏极电流** (ID)：在不同温度下有所不同，25°C时可达45A，70°C时为12A，这定义了MOSFET可以持续通过的最大电流。 - **栅极电荷** (Qg)：典型值为2nC，这是开启或关闭MOSFET所需的电荷量，直接影响开关速度。 - **最大脉冲漏极电流** (IDM)：200A，表明MOSFET在短时间内的峰值电流能力。 - **最大结温** (TJ)：175°C，超过这个温度可能会导致器件损坏。 此外，NTD5807NT4G-VB还具有规定的雪崩电流、单脉冲雪崩能量、源漏二极管连续电流等极限参数，确保了其在各种工作条件下的安全性。 NTD5807NT4G-VB是一款高性能、高效且可靠的选择，适用于需要低功耗、高开关速度和大电流处理能力的应用场景。其紧凑的TO252封装也便于在电路板上安装和散热管理。在设计电路时，必须确保不超过上述绝对最大额定值，以确保设备的长期稳定运行。