NTD20N03G-VB MOSFET: TrenchFET技术在服务器DC/DC应用

"NTD20N03G-VB是一款N沟道的30V TrenchFET功率MOSFET，采用TO252封装，适用于OR-ing、服务器及DC/DC转换器等应用。产品特点包括100%的Rg和UIS测试，并符合RoHS指令2011/65/EU。" NTD20N03G-VB是一款由N沟道技术制造的30伏特（VDS）MOSFET，其核心技术是TrenchFET，这是一种利用沟槽结构来提高开关性能和降低导通电阻的设计。这种器件具有极低的漏源导通电阻（RDS(on)），在VGS=10V时仅为0.007欧姆，而在VGS=4.5V时为0.009欧姆，这使得它在高效能电源管理中非常理想。此外，它的栅极电荷（Qg）在典型条件下仅为25nC，这意味着快速的开关速度和较低的开关损耗。 该MOSFET符合RoHS指令，确保了环保的制造标准。在应用方面，NTD20N03G-VB特别适合用于OR-ing电路，这是并联电源路径管理的一种方法，以及服务器和DC/DC转换器，这些领域对元器件的效率和可靠性有较高要求。 绝对最大额定值是设计电路时必须考虑的重要参数。NTD20N03G-VB的漏源电压（VDS）为30V，而门源电压（VGS）的范围是±20V。在25°C的结温下，连续漏电流（ID）在70°C时可达到1A，脉冲漏电流（IDM）为200A，表明其在短时间高功率应用中的能力。同时，NTD20N03G-VB的雪崩能量承受能力为94.8mJ，允许在特定条件下进行安全的雪崩操作。 此外，NTD20N03G-VB还具备内置的源漏二极管，允许反向电流流动。在25°C结温下，其源漏二极管连续电流为50A，而在70°C时则为3.13A。器件的最大功率耗散在25°C时为100W，在70°C时为75W，确保了在不同工作环境下的热稳定性。最后，操作和存储的温度范围为-55°C至175°C，覆盖了广泛的环境条件。 NTD20N03G-VB是一款高性能的N沟道MOSFET，适用于需要高效能、低功耗和良好热管理的电源应用。其优秀的电气特性、紧凑的TO252封装和严格的测试标准，使其成为电力电子设计师的理想选择。在设计电路时，需注意其工作条件和最大额定值，以确保器件的可靠性和长期稳定性。