FQD2N60C-VB: N沟道TO252封装高性能MOS管特性与规格

FQD2N60C-VB是一种N沟道的MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor），它采用TO252封装，这是一种常见的大功率封装类型，适用于对散热性能有较高要求的应用。该器件的主要特点如下： 1. **低栅极电荷** (Qg): FQD2N60C-VB的栅极电荷Qg较小，这使得驱动要求相对简单，特别是在开关速度较快的电路设计中，低电荷密度有助于减小开关损耗。 2. **改进的特性**: 该MOSFET具有增强的门极、雪崩和动态dv/dt鲁棒性，这意味着它在高电压和快速变化条件下仍能保持稳定的工作性能。 3. **全面特性表征**: FQD2N60C-VB的电容和雪崩电压和电流都经过了详细的测试，提供了准确的性能数据，以便用户在设计时参考。 4. **符合RoHS规范**: 产品符合欧盟RoHS指令2002/95/EC，确保了环保标准，不含限制使用的有害物质。 5. **参数限制**: - **最大集电极源电压** (VDS): 650V，确保了器件在高压环境下安全工作。 - **栅极源电压范围** (VGS): ±30V，提供了一定的栅极控制电压操作区间。 - **连续漏极电流** (ID) 在25°C时：在VGS=10V时，最大可达3.2A。 - **脉冲漏极电流** (IDM) 在100°C下：允许的最大脉冲峰值电流为8.0A。 - **线性降额因子** (Linear Derating Factor): 0.48 W/°C，表示温度升高会导致功率能力下降。 - **单次脉冲雪崩能量** (EAS): 165 mJ，反映了在特定条件下单次过电压冲击的耐受能力。 - **重复雪崩电流** (IAR) 和 **重复雪崩能量** (EAR): 分别为2A和4mJ，代表在周期性过载条件下的可靠性能。 6. **热管理**: 集成热管理系统，如最大功率耗散PD在25°C时为60W，但需注意在不同温度下的线性降额。 7. **安装间距**: 与外壳之间的最小距离为1.6mm，这对于散热设计和电气隔离是必要的。 在设计应用电路时，务必参考提供的这些规格和限制，以确保FQD2N60C-VB在特定的工作条件下能够稳定、高效地运行。同时，考虑电源驱动和保护措施以防止超过器件的额定参数。