STS2306-VB:N沟道20V SOT23封装TrenchFET MOSFET
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更新于2024-08-03
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"STS2306-VB是一款N沟道SOT23封装的MOSFET,适用于DC/DC转换器和便携式应用的负载开关。它具有无卤素、符合RoHS指令、经过100%栅极电阻测试等特点。这款MOSFET采用TrenchFET®技术,提供优异的性能。其主要规格包括20V的额定漏源电压(VDS)、在不同栅极电压下的低导通电阻(RDS(on)),以及低栅极电荷(Qg)。"
STS2306-VB MOSFET是一款高性能的N沟道功率MOSFET,设计用于需要高效能和紧凑封装的应用。其采用SOT23封装,这种小型封装使得它在空间有限的电路板上非常实用,特别是在便携式设备中。其关键特性包括:
1. **无卤素**:根据IEC61249-2-21定义,该器件不含卤素,符合环保要求。
2. **TrenchFET®技术**:这是一种先进的MOSFET制造工艺,通过在硅片中蚀刻出沟槽结构,降低导通电阻,提高开关速度和效率。
3. **100%栅极电阻测试**:每个器件都经过了栅极电阻测试,确保了可靠性和一致性。
4. **RoHS合规**:符合欧盟RoHS指令2002/95/EC,不含铅和其他有害物质。
在应用方面,STS2306-VB适合用作**DC/DC转换器**的核心元件,用于电源管理,以及作为**便携式应用**中的**负载开关**,如智能手机、平板电脑或可穿戴设备的电源路径管理。
参数规格表提供了器件的主要电气限制和性能指标:
- **漏源电压(VDS)**:最大值为20V,保证了MOSFET在高电压环境中工作的安全性。
- **导通电阻(RDS(on))**:在不同的栅极电压下(VGS = 4.5V, 2.5V, 1.8V),RDS(on)分别为0.028Ω, 0.042Ω, 和0.050Ω,数值较低意味着在导通状态下,器件的功耗较小。
- **栅极电荷(Qg)**:典型值为8.8nC,表明快速开关特性,有利于提高系统效率。
此外,还有关于电流、功率耗散、温度等方面的规定,确保器件在各种工作条件下的稳定性和耐久性。例如:
- **连续漏极电流(ID)**:在不同温度下,ID有不同的限制,如在25°C时为6A,在70°C时为5.1A。
- **最大功率耗散(PD)**:在不同温度下,器件的最大允许功率耗散也不同,如在25°C时为2.1W,在70°C时为1.3W。
STS2306-VB MOSFET凭借其出色的电气特性和环保特性,是小型电子设备中理想的开关元件。设计者应考虑其额定值、工作温度范围以及应用环境,以确保器件的最佳性能和寿命。
2024-06-25 上传
2024-06-24 上传
2023-08-09 上传
2023-06-07 上传
2023-08-05 上传
2023-06-26 上传
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2023-05-05 上传
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