SI4413DY-T1-E3-VB: 30V P沟道SOP8封装高性能MOS管

0 下载量 115 浏览量 更新于2024-08-03 收藏 458KB PDF 举报
SI4413DY-T1-E3-VB是一种高性能的P沟道SOP8封装MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),由TrenchFET®技术制成,具有环保特性,符合IEC 61249-2-21标准。这款MOSFET在设计上注重效率和可靠性,其主要特点包括: 1. **特性:** - **无卤素**:遵循IEC 61249-2-21标准,确保了环境友好。 - **TrenchFET** 结构:利用沟槽工艺,提高了开关速度和热性能。 - **质量测试**:100%进行了Rg(栅极电阻)和UIST(输入/输出短路)测试,确保了元件的一致性和稳定性。 2. **应用领域:** - **负载开关**:适用于各种电子设备,如笔记本电脑和台式机中需要高效开关控制的部分。 - **电源管理**:在便携式设备中,它可以作为高效电源切换元件,节省功耗。 3. **电气参数:** - **VDS(漏源电压)**:最高30V,提供了足够的电压处理能力。 - **RDS(on)(导通电阻)**:在VGS=-10V时,典型值为0.011Ω,而在VGS=-4.5V时稍有增加。 - **ID(持续集电极电流)**:在不同温度下有相应限制,例如在TJ=150°C时连续工作电流为-11.6A。 - **Qg(寄生电荷)**:典型值为22nC,反映了开关速度和存储性能。 4. **热性能与安全限制:** - **功耗**:最大功率耗散在25°C时可达5.6W,在70°C时有所下降。 - **温度范围**:操作和储存温度范围为-55°C至150°C,注意散热要求。 - **过载能力**:单脉冲雪崩电流(IAS)、能量吸收(EAS)和功率密度限制也列出了具体数值。 5. **封装与安装**: - 表面安装:适合1"x1" FR4板,方便集成。 6. **注意事项:** - 所有的电气参数是在特定条件下测量的,如时间常数t=10s,温度TJ=25°C等。 SI4413DY-T1-E3-VB是一款在现代电子系统中广泛应用的高性能P沟道MOSFET,提供了低导通电阻、高可靠性和宽温工作范围,是设计高效电源管理和负载开关的理想选择。在使用时,必须考虑到其热管理要求和安全工作条件。