APM2300AAC-TRL-VB:N-Channel 20V MOSFET特性和应用
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更新于2024-08-03
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"APM2300AAC-TRL-VB是一款N-Channel沟道的MOSFET晶体管,适用于SOT23封装,主要特性包括20V的额定电压,最大6A的连续漏极电流,以及在不同栅极电压下的低RDS(ON):24mΩ@VGS=4.5V和42mΩ@VGS=8V。该器件符合RoHS标准,适用于DC/DC转换器和便携式应用的负载开关。其绝对最大额定值、脉冲漏极电流、源漏二极管电流和最大功率耗散等参数也得到了详细规定。"
APM2300AAC-TRL-VB是一款由VBsemi生产的N-Channel沟道MOSFET,采用小型SOT23封装,适合在空间有限的应用中使用。这种MOSFET的核心特性是其低阻抗,当VGS为4.5V时,RDS(ON)仅为24毫欧姆,而当VGS增加到8V时,RDS(ON)也仅增加到42毫欧姆。这使得它在需要高效能和低功耗的电路中表现出色,如电源开关或电压调节。
该器件的其他关键特性包括符合IEC61249-2-21标准的无卤素设计,以及VBsemi的TrenchFET®技术,该技术有助于提高器件的开关性能和热效率。此外,每个器件都经过100%的栅极电阻测试,确保了产品质量和一致性。
APM2300AAC-TRL-VB适用于多种应用,特别是DC/DC转换器和便携式设备的负载开关,例如手机、笔记本电脑和其他移动设备的电源管理。产品摘要列出了其关键参数,包括在不同温度和栅极电压下的持续漏极电流(ID),以及在特定条件下的总栅极电荷(Qg)。
在安全操作方面,APM2300AAC-TRL-VB的绝对最大额定值必须遵守,例如漏极-源极电压(VDS)不能超过20V,栅极-源极电压(VGS)应在±12V之间。在高温环境下,连续漏极电流会受到限制,以防止过热。此外,该MOSFET还允许20A的脉冲漏极电流和1.75A的连续源漏二极管电流,但这些值依赖于环境温度。
最大功率耗散(PD)是决定器件能否稳定工作的另一个重要因素。在25°C时,最大功率耗散为2.1W,而在70°C时则降至1.3W。确保不超过这些限制,以防止器件过热并维持其可靠性。最后,器件的工作和存储温度范围为-55至150°C,这使其能够在广泛的环境条件下正常工作。
总体而言,APM2300AAC-TRL-VB是一款高性能、低功耗的MOSFET,适用于需要高效能开关操作和紧凑尺寸的应用。正确理解和应用这些参数,可以确保在实际电路设计中实现最佳性能和长期稳定性。
2024-04-11 上传
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2024-03-15 上传
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