英飞凌BSC320N20NS3G功率晶体管中文规格手册

英飞凌BSC320N20NS3G是一款OptiMOST M3功率晶体管，它专为高频开关和同步整流应用设计。该器件具备以下主要特性： 1. **类型与特性**： - N沟道，正常级器件：适合在逻辑控制下工作，具有低导通电阻。 - 高效的栅极充电效率：FOM（电导率与结温乘积）优秀，有助于降低功耗。 - 极低的典型最大导通电阻（RDS(on)）：32毫欧姆，有利于高效率电流传输。 - 环保材料：采用无铅工艺，符合RoHS规范，且符合JEDEC标准1，确保了目标应用中的可靠性和性能。 - 无卤素符合IEC 61249-2-21标准：环保设计，满足电气安全标准。 2. **电气参数**： - 持续漏极电流（ID）：在25°C时，最大连续电流为36A；在100°C时，下降到24A。 - 脉冲漏极电流（ID,pulse）：在25°C下，可承受高达144A的峰值脉冲电流。 - 单脉冲雪崩能量（EAS）：在36A电流和25欧姆RGS条件下，能承受190毫焦耳的能量。 - 反向漏源电压（VDS）：最大值为200V。 - 最大导通电阻（RDS(on)）：典型情况下为32毫欧姆，最小值为该参数的限制。 3. **封装和标识**： - 封装形式：PG-TDSON-8，适合小型化应用。 - 标记：型号标记为320N20NS，版本号为Rev.2.3。 - 发布日期：2011年5月20日。 4. **工作条件**： - 功耗：在25°C下，最大允许总功率为125W。 - 温度范围：操作温度-55°C至150°C，存储温度范围相同，满足IEC气候类别55/150/56标准。 5. **热特性**： - 提供了最小、典型和最大值的热特性参数，这些数据对于了解设备在不同条件下的性能和散热要求至关重要。 BSC320N20NS3G是一款高性能、低损耗的英飞凌功率晶体管，适用于对电流密度、开关速度和温度稳定性有较高要求的应用，如开关电源、电机驱动和电力电子系统设计。在选择和使用这款器件时，应确保充分理解其规格限制和工作条件，以确保系统安全和效率。