CPH3327-TL-E-VB: SOT23封装低阻值P-Channel场效应MOS管

本文档介绍的是CPH3327-TL-E-VB这款SOT23封装的P-Channel场效应MOS管，由VBSEMI公司生产。该器件采用Trench FET技术，具有低阻值、小型化和无卤素的特点，适用于直流/直流电源供应中的主动钳位电路。 以下是关于CPH3327-TL-E-VB的关键知识点： 1. 封装类型：SOT23封装，这是一种紧凑型表面安装封装，节省空间，适合于板级应用。 2. 功能特性： - **P-Channel沟道**：该MOSFET是N沟道的反向导通，对于需要从源极流向 Drain极的正向电流控制非常合适。 - **耐压等级**：能够承受高达-100V的Drain-Source (D-S)电压。 - **超低阻抗**：在VGS=10V时，RDS(ON)仅为500mΩ，这使得它在开关应用中有出色的效率。 - **阈值电压（Vth）**：当栅极电压达到-2.5V时，MOS管开始导通。 - **环保标准**：符合IEC61249-2-21标准，不含卤素，对环境友好。 3. 应用场景： - 主动钳位电路：在DC/DC转换器中，这种MOSFET可以作为开关元件，提供快速且高效的电压调节。 4. 参数指标： - **持续电流**：在不同温度下，连续 Drain电流ID有明确限制，如在25°C时，最大ID为-1.65A，而在70°C时降为-1.55A。 - **脉冲电流**：单个脉冲下，允许的Drain电流DM和Avalanche电流I有限制。 - **功率处理能力**：最大功耗PD随温度变化，25°C时为2.0W，70°C时为1.0W。 - **温度范围**：工作和存储温度范围为-55°C至+150°C，包括了正常的运行条件和极端的存储条件。 5. 注意事项： - 需要在1"x1" FR4板上进行表面安装，并且必须考虑脉宽受限于最大结温。 - 所有参数是在5秒稳态条件下的典型值，实际应用中需确保不超过其极限条件。 CPH3327-TL-E-VB是一款高性能、小型化的P-Channel MOSFET，适用于对电流密度、开关速度和功率效率有较高要求的电路设计，尤其适合那些关注散热和环保的应用场合。在使用时，务必参考其详细数据表以确保正确选择和操作。