HM2N10MR-VB:100V N-Channel TrenchFET MOSFET技术规格与应用
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更新于2024-08-03
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"HM2N10MR-VB是一款由VBsemi生产的N-Channel沟道SOT23封装的MOSFET晶体管,主要特点包括采用TrenchFET技术,通过100%Rg测试和UIS测试。适用于DC/DC转换器、负载开关以及LED背光照明等应用。关键参数包括:额定电压100V,最大连续漏源电流2A,栅极-源极电压±20V,低导通电阻RDS(ON)在VGS=10V时为246mΩ,阈值电压Vth约为2V。此外,该器件的热特性包括在不同温度下的最大功率耗散和结温限制。"
在深入讨论HM2N10MR-VB这款MOSFET之前,我们先了解一些基本概念。MOSFET(金属-氧化物-半导体场效应晶体管)是一种电压控制型半导体器件,分为N-Channel和P-Channel两种类型。N-Channel MOSFET在栅极-源极电压(VGS)超过阈值电压(Vth)时,允许电流从漏极流向源极。TrenchFET技术是MOSFET的一种制造工艺,通过在硅片上刻蚀出深沟槽结构,能实现更低的导通电阻和更小的封装尺寸。
HM2N10MR-VB的特性如下:
1. **TrenchFET PowerMOSFET**:使用了TrenchFET技术,这使得该器件在小型SOT23封装下仍能保持较低的RDS(ON),从而降低功耗和提高效率。
2. **100% Rg测试和UIS测试**:确保了器件的可靠性和安全性,Rg测试验证了栅极电阻的均匀性,UIS测试则评估了器件承受过电压的能力。
3. **参数规格**:
- **额定电压VDS**:100V,表示MOSFET在正常工作时可承受的最大漏源电压。
- **最大连续漏源电流ID**:2A,意味着MOSFET在不超过100V的电压下可以连续处理的最大电流。
- **RDS(ON)**:246mΩ@VGS=10V,表示当栅极-源极电压为10V时的导通电阻,这个值越低,导通状态下的损耗就越小。
- **阈值电压Vth**:约2V,是使MOSFET导通所需的最小栅极-源极电压。
4. **绝对最大额定值**:这些是器件不应超出的极限值,以防止器件损坏。例如,漏源电压不能超过100V,栅极-源极电压不能超过±20V,最大功率耗散在不同温度下有所不同。
5. **应用领域**:DC/DC转换器通常用于电源管理,提供稳定的电压输出;作为负载开关,MOSFET能控制电路的通断;在LCD电视的LED背光照明中,MOSFET用于驱动LED灯串。
6. **热性能**:最大结温和功率耗散限制了MOSFET在不同环境温度下的工作能力。例如,当结温达到150°C或25°C时,连续漏源电流会相应减少。
HM2N10MR-VB是一款适合于电源转换、负载开关和LED驱动等应用的高性能N-Channel MOSFET,其低RDS(ON)、紧凑的封装和良好的热性能使其在设计中具有较高的灵活性和效率。
2024-05-06 上传
2024-04-28 上传
2024-05-23 上传
2024-07-04 上传
2024-07-04 上传
2024-07-04 上传
2024-04-30 上传
2024-05-06 上传
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