HM2N10MR-VB：100V N-Channel TrenchFET MOSFET技术规格与应用

"HM2N10MR-VB是一款由VBsemi生产的N-Channel沟道SOT23封装的MOSFET晶体管，主要特点包括采用TrenchFET技术，通过100%Rg测试和UIS测试。适用于DC/DC转换器、负载开关以及LED背光照明等应用。关键参数包括：额定电压100V，最大连续漏源电流2A，栅极-源极电压±20V，低导通电阻RDS(ON)在VGS=10V时为246mΩ，阈值电压Vth约为2V。此外，该器件的热特性包括在不同温度下的最大功率耗散和结温限制。" 在深入讨论HM2N10MR-VB这款MOSFET之前，我们先了解一些基本概念。MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）是一种电压控制型半导体器件，分为N-Channel和P-Channel两种类型。N-Channel MOSFET在栅极-源极电压（VGS）超过阈值电压（Vth）时，允许电流从漏极流向源极。TrenchFET技术是MOSFET的一种制造工艺，通过在硅片上刻蚀出深沟槽结构，能实现更低的导通电阻和更小的封装尺寸。 HM2N10MR-VB的特性如下： 1. **TrenchFET PowerMOSFET**：使用了TrenchFET技术，这使得该器件在小型SOT23封装下仍能保持较低的RDS(ON)，从而降低功耗和提高效率。 2. **100% Rg测试和UIS测试**：确保了器件的可靠性和安全性，Rg测试验证了栅极电阻的均匀性，UIS测试则评估了器件承受过电压的能力。 3. **参数规格**： - **额定电压VDS**：100V，表示MOSFET在正常工作时可承受的最大漏源电压。 - **最大连续漏源电流ID**：2A，意味着MOSFET在不超过100V的电压下可以连续处理的最大电流。 - **RDS(ON)**：246mΩ@VGS=10V，表示当栅极-源极电压为10V时的导通电阻，这个值越低，导通状态下的损耗就越小。 - **阈值电压Vth**：约2V，是使MOSFET导通所需的最小栅极-源极电压。 4. **绝对最大额定值**：这些是器件不应超出的极限值，以防止器件损坏。例如，漏源电压不能超过100V，栅极-源极电压不能超过±20V，最大功率耗散在不同温度下有所不同。 5. **应用领域**：DC/DC转换器通常用于电源管理，提供稳定的电压输出；作为负载开关，MOSFET能控制电路的通断；在LCD电视的LED背光照明中，MOSFET用于驱动LED灯串。 6. **热性能**：最大结温和功率耗散限制了MOSFET在不同环境温度下的工作能力。例如，当结温达到150°C或25°C时，连续漏源电流会相应减少。 HM2N10MR-VB是一款适合于电源转换、负载开关和LED驱动等应用的高性能N-Channel MOSFET，其低RDS(ON)、紧凑的封装和良好的热性能使其在设计中具有较高的灵活性和效率。