RSD200N10TL-VB：高性能N沟道100V MOSFET

"RSD200N10TL-VB是一种N沟道的MOSFET晶体管，采用TO-252封装，适用于电源管理、开关应用和其他需要高效能、低热阻的电子设备。它具备TrenchFET技术，能够提供100V的额定漏源电压（V(BR)DSS），并在10V的栅极电压下，导通电阻低至0.030Ω，而在4.5V的栅极电压下，导通电阻降低至0.0037Ω。这款MOSFET能在175°C的结温下工作，并具有低热阻特性，其中，结到外壳的热阻（RthJC）为1.4°C/W，而结到环境的热阻（RthJA）为40°C/W。其绝对最大额定值包括100V的漏源电压，20V的栅源电压，以及在不同温度下的连续漏极电流。此外，它还提供了脉冲漏极电流、雪崩电流和重复雪崩能量等参数，确保了在特定条件下的安全操作。RSD200N10TL-VB符合RoHS标准，适用于环保要求高的应用。" RSD200N10TL-VB是一款由先进TrenchFET技术制造的N沟道功率MOSFET，这使得它在低电压下也能实现优秀的开关性能。它的主要特点是高耐压能力，达到了100V，适合在高压环境中使用。同时，其低导通电阻特性在10V的栅极电压下仅为0.030Ω，这意味着在导通状态下，它对电流流动的阻碍很小，从而能有效地降低损耗，提高效率。 这款MOSFET的结温可高达175°C，这意味着它具有较高的热稳定性，适合在高温环境中运行。TO-252封装的设计考虑到了散热问题，其低热阻特性保证了在大电流工作时能有效地散发热量，防止过热。其中，RthJC和RthJA分别为1.4°C/W和40°C/W，这两个参数对于器件在复杂系统中的热管理至关重要。 在安全操作方面，RSD200N10TL-VB的额定电流和功率耗散能力也得到了明确的定义。例如，它在25°C时的最大连续漏极电流为40A，在125°C时则降至23A，以防止过载。脉冲漏极电流IDM可达120A，表明它能在短时间内处理较大的峰值电流。此外，它还能承受35A的雪崩电流和61mJ的重复雪崩能量，这些参数保证了器件在短路或过电压情况下的耐用性。 最后，这款MOSFET符合RoHS标准，意味着它不含有铅且符合欧洲的环保要求。总体而言，RSD200N10TL-VB是一款高性能、高可靠性的N沟道MOSFET，广泛适用于各种需要高效能、低热阻和环保特性的电子设计中。