SI3477DV-T1-GE3 MOSFET技术规格与应用解析

"SI3477DV-T1-GE3是一款由Infineon（英飞凌）制造的P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），适用于30V工作电压环境，具备低导通电阻和快速开关性能。这款器件采用TrenchFET技术，旨在提供高效能和小型化封装。它适用于负载开关等应用。" **产品特性** 1. **无卤素设计**：符合IEC61249-2-21标准，确保环保。 2. **TrenchFET功率MOSFET**：利用沟槽结构提高器件性能，降低导通电阻，减少功率损耗。 **应用领域** 1. **负载开关**：由于其低RDS(on)和高耐压，适合用作电源管理中的开关元件。 **产品摘要** - **额定电压**：VDS的最大值为-30V，表明MOSFET能承受的最大反向漏源电压。 - **导通电阻**：在VGS = -10V时，RDS(on)为49mΩ，而在VGS = -4.5V时，RDS(on)为54mΩ。较低的导通电阻意味着在导通状态下的功率损失较小。 - **最大连续漏电流**：ID在25°C时的最大值为-4.8A，在70°C时为-4.1A，随着温度升高，电流能力下降。 - **栅极电荷**：Qg典型值为5.1nC，表示开关操作所需的总电荷，影响开关速度。 - **脉冲漏电流**：IDM的最大值为-20A，适用于短时间大电流脉冲。 - **源漏二极管电流**：IS在25°C时的最大值为-2.5A，说明MOSFET内置的体二极管可以处理的电流。 - **最大功率耗散**：在25°C时，PD的最大值为3.0W，70°C时为2.0W，需注意散热设计以防止过热。 **绝对最大额定值** - **漏源电压**：VDS的最大允许值为-30V。 - **栅极源电压**：VGS的范围为±20V，超出此范围可能导致器件损坏。 - **脉冲漏电流**：持续时间t=5s时，IDM的最大值为-20A。 - **结温与存储温度**：工作和存储的温度范围为-55°C至150°C。 **热特性** - **结温到环境的热阻**：RthJA的最大值为62.5°C/W，表明每瓦功率产生的温升。 - **结到脚的热阻**：RthJF的最大值为41°C/W，这是衡量热量从器件内部传导至封装外部的能力。 SI3477DV-T1-GE3是一款高性能的P沟道MOSFET，适用于需要高效能和小体积的电源管理应用。其关键参数如RDS(on)、Qg以及热特性等，确保了在各种电路条件下的稳定工作。在实际应用中，必须考虑温度影响，合理散热，以确保器件的可靠性和寿命。