无线充电方案与元器件：劲芯微CV90318与GMT M2105系列解析

"无线充电方案、元器件配套服务-CV90318.pdf" 这篇文档主要介绍了无线充电领域的几个关键元器件，特别是CHIPSVISION/劲芯微与GMT/台湾致新的产品。在无线充电解决方案中，发射端和接收端的芯片起着至关重要的作用。CHIPSVISION提供的发射端芯片型号包括CV90312T、CV90318、CV90325、CV90325B、CV90326、CV90326L、CV90328和CV90329B，而接收端芯片则有CV8010、CV8013、CV8022和CV8025。这些芯片设计用于无线充电系统，可能包含高效能的功率转换和传输技术。 同时，文档提到了GMT/台湾致新的M2105AP71U和M2105BF11U产品，这两款产品可能是无线充电系统中的辅助元件，例如用于稳压或电源管理。M2105系列可能是高性能的MOSFET，适合用在电源开关和高频电路中，确保系统的稳定运行。 详细来看，MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）是PED30D12M型号，是一种双N沟道增强模式功率MOSFET。它采用先进的沟槽技术和设计，以实现极低的导通电阻(RDS(ON))和低栅极电荷。具体特性包括：额定漏源电压(VDS)为30V，最大连续漏电流(ID)为12A，且在特定栅极电压下RDS(ON)小于14mΩ（VGS=4.5V）和18mΩ（VGS=2.5V）。此外，它还适用于各种电源切换应用、硬开关和高频电路，以及不间断电源系统。 电气特性方面，MOSFET的最大栅源电压(VGS)为±20V，最大连续漏电流在70℃环境下为9A，脉冲漏电流(IDM)可达48A，最大功率耗散(PD)为1.7W，工作和储存的结温范围为-55℃至150℃。热特性中，结到环境的热阻(RθJA)为75℃/W，这意味着在一定的功耗下，芯片的温度上升会受到限制，有助于防止过热并确保设备的可靠性。 无线充电方案涉及到的关键元器件如CHIPSVISION的发射端和接收端芯片，以及GMT/台湾致新的MOSFET，都是构建高效、稳定无线充电系统的基础。这些芯片和元器件的选择和配合对于优化充电效率、降低功耗和提高系统整体性能至关重要。