NIS5232-D 12V 电子熔丝：保护硬盘与电路的高效解决方案
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更新于2024-08-11
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"NIS5232-D 12V 电子熔丝是Semiconductor Components Industries, LLC（ON Semiconductor）推出的一种经济高效的可重置熔丝，主要用于提高硬盘和其他电路的可靠性，防止灾难性故障和关机故障。该器件设计用于保护负载设备免受过电压损害，并具有过电压钳位功能，能在瞬态电压下限制输出电压，但不会关闭单元，允许负载电路继续运行。"
NIS5232系列电子熔丝是一款集成电源设备，其特点包括：
1. **热保护**：内置的功率器件具有热保护功能，能够防止因过热而导致的损坏。
2. **无需外部电流分流器**：设计上不需要外部电流检测电阻，简化了电路设计。
3. **输入电压范围宽**：支持9V到18V的输入电压范围，适用于各种应用环境。
4. **低导通电阻**：典型导通电阻仅为44毫欧，有利于降低功耗和提高效率。
5. **内部充电泵**：提供内部升压功能，以满足系统电压需求。
6. **内部欠压锁定电路**：在输入电压低于设定阈值时自动关闭电源，保护系统不受低电压影响。
7. **内部过电压钳位**：在过电压发生时能有效限制输出电压，确保设备安全。
8. **电磁兼容性**：符合ESD耐受标准，HBM人体模型下为1500V，MM机器模型下为200V。
9. **安全认证**：通过UL2367认证（UL文件号E466553），符合安全标准。
10. **环保友好**：无铅且符合RoHS指令。
典型应用场景包括：
1. **硬盘驱动器**：为硬盘提供保护，避免过电压或欠电压对硬盘造成损害。
2. **主板电源管理**：在主板电源系统中，用作安全保护元件，确保系统稳定运行。
封装信息显示，NIS5232-D采用的是DFN10封装，CASE485C，标记图示为232AYW。
这款电子熔丝是现代电子系统中保护关键部件免受电压异常影响的理想选择，尤其是在需要高可靠性和低功耗的领域，如数据存储、计算机硬件和便携式电子设备等。其紧凑的设计和全面的保护特性使其在电路保护领域具有广泛的适用性。
NIS5232 Series
http://onsemi.com
3
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Unless otherwise noted: V
CC
= 12 V, C
L
= 100 mF, dv/dt pin open, R
LIMIT
= 10 W, T
j
= 25°C
unless otherwise noted.)
Characteristics
Symbol Min Typ Max Unit
POWER FET
Delay Time (enabling of chip to I
D
= 100 mA with 1 A resistive load) T
dly
220
ms
Kelvin ON Resistance (Note 5)
T
J
= 140°C (Note 6)
R
DSon
35 44
62
55
mW
Off State Output Voltage
(V
CC
= 18 V
dc
, V
GS
= 0 V
dc
, R
L
= R)
V
off
190 300 mV
Output Capacitance (V
DS
= 12 V
dc
, V
GS
= 0 V
dc
, f = 1 MHz) 250 pF
Continuous Current (T
A
= 25°C, 0.5 in
2
copper) (Note 6)
(T
A
= 80°C, minimum copper)
I
D
I
D
4.2
2.5
A
THERMAL LATCH
Shutdown Temperature (Note 6)
T
SD
150 175 200 °C
UNDER/OVERVOLTAGE PROTECTION
Output Clamping Voltage (Overvoltage Protection) (V
CC
= 18 V) V
Clamp
14 15 16.2 V
Undervoltage Lockout (Turn on, voltage going high) V
UVLO
7.7 8.5 9.3 V
UVLO Hysteresis V
Hyst
− 0.80 − V
CURRENT LIMIT
Kelvin Short Circuit Current Limit (R
Limit
= 15.4 W, Note 7)
I
Lim−SS
2.75 3.44 4.25 A
Kelvin Overload Current Limit (R
Limit
= 15.4 W, Note 7)
I
Lim−OL
4.6 A
dv/dt CIRCUIT
Output Voltage Ramp Time (Enable to V
OUT
= 11.7 V) t
slew
0.5 0.9 1.8 ms
Maximum Capacitor Voltage V
max
V
CC
V
ENABLE/FAULT
Logic Level Low (Output Disabled)
V
in−low
0.35 0.58 0.81 V
Logic Level Mid (Thermal Fault, Output Disabled) V
in−mid
0.82 1.4 1.95 V
Logic Level High (Output Enabled) V
in−high
1.96 2.64 3.30 V
High State Maximum Voltage V
in−max
3.40 4.30 5.2 V
Logic Low Sink Current (V
enable
= 0 V) I
in−low
−17 −25
mA
Logic High Leakage Current for External Switch (V
enable
= 3.3 V) I
in−leak
1.0
mA
Maximum Fanout for Fault Signal (Total number of chips that can be
connected to this pin for simultaneous shutdown)
Fan 3.0 Units
TOTAL DEVICE
Bias Current (Operational)
I
Bias
1. 8 2.5 mA
Bias Current (Shutdown) I
Bias
1.0 mA
Minimum Operating Voltage (Notes 6 and 8) V
min
7.6 V
Product parametric performance is indicated in the Electrical Characteristics for the listed test conditions, unless otherwise noted. Product
performance may not be indicated by the Electrical Characteristics if operated under different conditions.
5. Pulse test: Pulse width 300 ms, duty cycle 2%.
6. Verified by design.
7. Refer to explanation of short circuit and overload conditions in application note AND8140.
8. Device will shut down prior to reaching this level based on actual UVLO trip point.
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