NAND与NOR FLASH：工作原理与差异解析

"NAND FLASH 和NOR FLASH是两种常见的非易失性存储技术，它们都基于浮置栅极的三端器件结构，但各有特点。这两种闪存的主要区别在于其工作方式、数据写入和擦除机制以及在系统中的应用。 一、存储数据的原理 NAND和NOR闪存都是利用浮置栅极（Floating Gate）存储电荷来实现数据保存。浮置栅极被两层氧化硅包围，中间的氮化物作为电荷存储区域。写入数据时，NOR Flash通过热电子注入技术，而NAND Flash则依赖于F-N隧道效应。在擦除数据时，两者都采用F-N隧道效应来释放浮置栅极上的电荷。 二、浮栅的重放电与写入 写入数据到浮栅中相当于写入'0'，因为注入的电荷会使得晶体管在无电压状态下也能导通。相反，不注入电荷表示'1'，在这种状态下，晶体管只有在控制栅极上有适当电压时才会导通。NAND Flash的写入和擦除操作比NOR Flash更快，但擦除单位通常更大，适合大容量存储。 三、0和1的表示 在读取数据时，如果浮栅有电荷，源极和漏极间的空间电荷区会导通，读取到的是'0'；反之，如果没有电荷，只有在控制栅极有电压时晶体管才导通，读取到的是'1'。读取操作对原有数据无影响，因为读取电压不足以改变浮置栅极的电荷状态。 四、连接和编址方式 NAND Flash通常采用矩阵式布局，以减少地址线数量，提高存储密度，适用于大容量存储设备。而NOR Flash则采用线性地址映射，每个存储单元可以直接寻址，适合代码执行。NOR Flash的这种特性使其在启动程序和运行代码方面更具优势。 五、应用场景 NAND Flash因其高密度和低成本，广泛应用于移动设备、固态硬盘和U盘等大容量存储。NOR Flash因其直接执行代码的能力，常用于嵌入式系统和微控制器的引导代码存储。 总结起来，NAND和NOR Flash在工作原理上相似，但在速度、容量、成本和用途上有所差异，使得它们在不同的应用领域中各具优势。选择哪种类型取决于具体的应用需求，如读取速度、存储容量、成本预算以及是否需要直接执行存储的代码等。"