FDS5672-NL-VB: 60V N沟道SOP8封装低功耗MOSFET

FDS5672-NL-VB是一种高性能的N沟道60-V耐压SOP8封装MOS场效应晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，MOSFET）。该器件采用了先进的Trench FET技术，专为低侧同步整流器应用进行了优化设计，具有出色的能效和可靠性。 以下是关于FDS5672-NL-VB的一些关键特性： 1. **环保合规**：根据IEC 61249-2-21标准，该MOSFET是无卤素材料，符合绿色电子产品的环保要求。 2. **高耐压与耐温**：它支持高达60V的 Drain-Source Voltage (VDS)，确保在各种电路中提供足够的隔离电压。同时，工作温度范围宽广，从-55℃到150℃，包括了运行和储存条件。 3. **低导通电阻**：在VGS=10V时，RDS(on)典型值为0.012Ω，表现出优异的开关性能。而在VGS=4.5V时，这个参数进一步降低至0.015Ω。 4. **高电流能力**：连续工作条件下，Drain Current (ID) 在不同温度下有不同的限制，如在25℃时可达到A级，而在70℃下有所下降。脉冲电流能力也达到了25A（IDM）。 5. **内置保护**：100%的Rg和UISTest确保了元件的安全性，而单脉冲雪崩电流IAS和能量吸收EAS分别能达到15A和11.2mJ，提供了额外的过载保护。 6. **热管理**：最大功率损耗在不同温度下有所不同，例如在25℃时，连续和脉冲模式下的最大功率分别为5W和3.2W。存储温度下的热阻值也有典型和最大限制。 7. **封装形式**：FDS5672-NL-VB采用SOP8封装，适合表面安装技术(SMT)，并且适用于1"x1" FR4板，方便集成到电路板上。 8. **应用领域**：这款MOSFET适用于CCFL逆变器等对低损耗、高效率有需求的电子设备中，但需要注意的是，其包装规格有限制，并且部分性能数据在特定条件下适用。 FDS5672-NL-VB是一款专为特定应用设计的高效能、低功耗、环保型N沟道MOSFET，它在高温环境下也能保持良好的性能，是电子设计中值得考虑的组件选择。在实际使用中，务必依据产品规格和应用要求进行详细评估和计算。