南亚科技DDR3 2Gb内存规格说明书

"南亚科技发布的DDR3 2GB内存模块规格说明书，涵盖不同速度等级的CAS延迟和频率参数" 本文将深入解析南亚科技（Nanya Technology Corp.）生产的DDR3 2GB内存模块，这些模块适用于消费级市场。DDR3 SDRAM B-Die芯片在内存市场中占有重要地位，提供了不同速度等级的选择，以满足各种计算需求。 DDR3内存的核心特性在于其数据传输速率和CAS（列地址选择延迟）时间。表格1列出了不同的速度等级，包括-BE、-CG/-CGI、-DI和-EJ，分别对应1066MHz、1333MHz、1600MHz和1866MHz的运行频率。这些速度等级对应于不同的CAS延迟，例如-BE提供的是CL7（7个时钟周期的延迟），而-EJ则是CL12（12个时钟周期的延迟）。CAS延迟是决定内存性能的关键因素之一，它指定了数据从被请求到开始传输所需的时间。 参数列表详细列出了各项关键性能指标的最小值和最大值，如时钟频率（tCK）、平均时钟周期时间和不同的CAS延迟下的平均时钟周期时间。例如，时钟频率范围从300MHz到933MHz，这意味着内存模块能够支持从DDR3-667到DDR3-1933的多种速度。平均时钟周期时间（tCK(Avg.)）根据不同的CAS延迟有不同的数值，例如，在CL7下，时钟周期时间范围在1.875ns到2.5ns之间。 此外，内存的其他关键参数如tCK(Avg.)@CL5至CL10也给出了相应的范围，这些参数对于理解内存的响应速度和系统性能至关重要。较高的CAS延迟通常意味着较低的数据传输速率，但可能提供更稳定的系统运行。 南亚DDR3 2GB内存模块提供了多样化的速度选项，适合各种消费者级别的应用，从基本家用电脑到高性能游戏和专业工作站。用户可以根据自己的系统需求和预算选择适合的内存模块，确保系统的性能和稳定性。同时，制造商保留改变产品和规格的权利，因此用户在购买时应关注最新的产品信息。