半导体调制技术驱动的百瓦级线偏振纳秒掺铥光纤激光器创新

本文主要介绍了基于半导体激光器调制技术的高性能光纤激光器，这是一种创新的百瓦级线偏振纳秒掺铥光纤激光器。该系统的核心在于采用了调制半导体激光器作为种子光源，这种设计允许激光器产生脉冲宽度为20纳米（ns）的光脉冲，这在高重复频率下（200千赫兹至1兆赫兹，kHz-MHz）实现了连续可调，具有高度灵活性。 当系统的重复频率被设置在200 kHz时，通过主功率振荡放大器（MOPA）技术，激光器能够实现100瓦（W）的平均功率输出。值得注意的是，随着输出功率的提升，激光器内部的增益整形机制会发挥作用，使得脉冲宽度进一步减小到6 ns，从而显著提高了峰值功率，达到了惊人的83千瓦（kW）。这意味着单个脉冲的能量达到0.5毫焦耳（mJ），这对于许多应用领域，如材料加工、光通信和科学研究都具有重要意义。 此外，该激光器在最高输出功率下表现出极高的线偏振性能，偏振消光比（PDL）达到了17分贝（dB），这是在半导体调制技术驱动的百瓦级线偏振光纤激光器中前所未有的成就。这样的特性对于需要高纯度线偏振光的应用，如光学通信和精密测量，都是一个重大的突破。 关键词：激光器、光纤激光器、半导体激光器调制、纳秒脉冲、线偏振，这些都表明了这项研究在光子学领域的前沿地位。这篇论文报道了一项重要的技术进展，为提高光纤激光器的功率密度、稳定性以及偏振控制性能提供了新的途径，对于推动激光技术的发展具有重要的理论与实践价值。