Fairchild FDS4953 双P沟道逻辑电平功率MOSFET技术规格

"FDS4953是一款双通道P沟道逻辑电平功率TrenchMOSFET，由Fairchild Semiconductor（现在可能已并入ON Semiconductor）采用先进的Power Trench技术制造，旨在提供极低的导通电阻和高电流处理能力。这款芯片适用于需要高效能和低功耗特性的应用。" FDS4953芯片的主要特点包括： 1. **低导通电阻**：在VGS = -10V时，RDS(ON)典型值为0.053Ω，而在VGS = -4.5V时，RDS(ON)典型值为0.095Ω。这使得该器件在开关操作时能够提供极低的电压损失，从而提高系统的效率。 2. **低栅极电荷**：其栅极电荷通常仅为8nC，这意味着开关速度快，减少了开关过程中的能量损耗。 3. **高性能Trench技术**：采用Power Trench工艺，极大地减小了晶体管的尺寸，同时保持了良好的电气性能，降低了芯片面积，提高了功率密度。 4. **高电流处理能力**：连续漏极电流ID的最大值为-5A，峰值脉冲电流可达到-20A，表明FDS4953适合处理大电流负载。 5. **封装选项**：提供多种封装形式，如SOT-23、SuperSOT TM-8、SOIC-16、SO-8以及SOT-223和SuperSOT TM-6，满足不同应用场合的需求。 6. **耐压和功率耗散**：额定的源漏极电压VDSS为-30V，双通道操作下的最大功率耗散为2W，单通道操作下为1.6W或1W（根据不同的散热条件）。 7. **温度范围**：工作和存储温度范围广泛，从-55°C到150°C，确保了在各种环境条件下都能稳定工作。 8. **热特性**：具有良好的热特性，结到外壳的热阻RθJC为40°C/W，结到环境的热阻RθJA为78°C/W，这些参数对于散热设计至关重要。 在电路设计中，FDS4953芯片常用于电源管理、电机控制、负载开关、逻辑电平转换以及其他需要高效、低损耗切换的应用中。由于其低RDS(ON)和低栅极电荷特性，它特别适用于需要快速响应和高效率的电源路径管理或逻辑驱动器电路。同时，其紧凑的封装形式使其适用于空间有限的电子产品设计。