CSD17308Q3-VB：低功耗N沟道DFN8 MOSFET应用于DC/DC转换与笔记本游戏系统

CSD17308Q3-VB是一款高性能的2个N沟道DFN8（3x3）封装MOSFET，由VB半導体公司生产。该产品采用TrenchFET®技术，具有无卤素的环保特性，旨在满足现代电子设备中的高效能、低功耗需求。 这款MOSFET的主要特点包括： 1. **环保设计**：CSD17308Q3-VB采用无卤素材料，符合RoHS标准，有利于降低环境影响和确保设备的兼容性。 2. **TrenchFET结构**：通过沟槽型场效应晶体管技术，提供了低导通电阻和高开关速度，适合于需要快速响应和高效率的应用。 3. **严格的测试**：100%的热阻（Rg）和输入直击雷电流（UIST）测试，确保了器件的可靠性。 4. **电气规格**： - 集成安全措施，如最大持续 Drain-Source 电压（VDS）为30V，Gate-Source 电压范围（VGS）为±20V。 - 在不同温度下，最大连续 Drain 电流（ID）有所不同：在25°C时，ID可达17.1A；在70°C下，脉冲 Drain 电流（IDM）高达100A。 - 具有内置的单脉冲雪崩电流（IAS）限制，保护器件免受过电压的影响，雪崩能量（EAS）为5mJ。 5. **功率处理能力**：最大功率 dissipation 在25°C时为60W，而在70°C下降至30W，支持在各种工作条件下保持稳定性能。 6. **温度范围**：该器件的工作结和存储温度范围宽广，从-55°C到150°C，适应极端的环境条件。 7. **热阻值**： - Junction-to-Ambient热阻典型值为27°C/W，最大值为34°C/W，在10秒内短时间测量。 - Junction-to-Foot（Drain）热阻在稳态下有6°C/W的最大典型值和7.5°C/W的最大限制。 CSD17308Q3-VB的应用领域广泛，包括但不限于： - **直流/直流转换器**：作为低侧开关，提供高效的电源转换功能。 - **笔记本电脑**：在这些设备中用于电源管理和散热控制，确保系统稳定运行。 - **游戏设备**：对于需要高速响应和高能效的游戏设备，如游戏主板上的电源管理部分。 CSD17308Q3-VB是一款适用于多种电子设备的高性能MOSFET，特别适合那些对效率、可靠性和温度耐受性有严格要求的应用场景。其先进的设计和严格的测试使其成为现代电子系统中不可或缺的组件。