三星K6F2016V4E：超低功耗全CMOS静态RAM技术规格

"Samsung K6F2016V4E.pdf" 三星的K6F2016V4E是一款128Kx16位的超低功耗、低电压全CMOS静态随机存取存储器（SRAM）。这款芯片由三星电子采用先进的全CMOS工艺制造，设计用于需要高效能、低功耗解决方案的应用。 该数据手册的修订版本为1.0，发布日期为2002年3月，提供了关于产品的详细规格和信息。三星电子保留更改产品规格的权利，并承诺对关于设备的问题提供解答。如果用户有任何疑问，可以联系三星的分公司获取支持。 在性能参数方面，K6F2016V4E的工作温度范围为工业级的-40至85°C，电源电压范围为3.0至3.6V。这款SRAM的读写速度分别为55纳秒或70纳秒，具体取决于型号。在待机状态下（ISB1，典型值）功耗仅为0.5微安，而在操作状态（ICC1，最大值）下功耗为4毫安。封装类型为48引脚薄型球栅格阵列（TBGA），尺寸为6.00x7.00毫米。 在测量参数时，注意以下几点： 1. 参数是使用30皮法的测试负载进行测量的。 2. 典型值是在VCC=3.3V，环境温度TA=25°C的条件下测量的，但并不意味着所有产品都进行了100%的测试。 K6F2016V4E的主要特点包括其超低的待机功耗和工作时的低功率消耗，这使其非常适合于电池供电的便携式设备或需要长时间运行的系统。此外，全CMOS工艺确保了高速性能和稳定性。这种SRAM家族的产品在各种电子设备中都有广泛的应用，如嵌入式系统、通信设备、消费类电子产品等，因为它们能够在保持高效运行的同时，有效地延长电池寿命。 三星的K6F2016V4E是一款高性能、低功耗的存储解决方案，特别适合那些对电源效率和数据处理速度有高要求的工业应用。用户在设计系统时，可以考虑这款芯片来实现内存部分的优化，以达到最佳的系统性能和能效比。