FQD60N03L-VB: N沟道TO252封装高性能场效应晶体管

FQD60N03L-VB是一款N沟道高性能场效应晶体管，它采用先进的TrenchFET® PowerMOSFET技术制造，旨在提供高效率、可靠性和低导通电阻（RDS(on)）的开关特性。这款器件的特点包括： 1. **电气特性**： - **耐压**：最大 Drain-Source Voltage (VDS) 为30V，确保在正常工作条件下电路的安全。 - **导通电阻**：在VGS = 10V时，RDS(on)典型值为0.005Ω，而在VGS = 4.5V时，为0.006Ω，显示出优秀的开关性能。 - **电流容量**：连续导通电流（ID）在室温下（TA=25°C）可达到60A，当温度升至70°C时，会有所下降。此外，还提供了脉冲峰值电流限制（IDM）高达250A，以及单脉冲雪崩电流（IAS）和能量吸收能力（EAS）。 2. **温度管理**： - **热性能**：产品支持宽范围的运行和存储温度，从-55°C到175°C，保证了器件在极端环境下的稳定性。 - **散热**：最大功率耗散（PD）在25°C时为205W，在70°C时降至135W，同时提供了热阻信息，有助于设计者了解内部热量传递。 3. **符合性**： - 该器件符合RoHS指令2011/65/EU，确保了环保标准。 4. **应用领域**： - FQD60N03L-VB适用于多种应用，如电源管理中的ORing、服务器电源、以及直流/直流转换器等，其表面安装选项（SMT）方便在1"x1" FR4板上集成。 5. **注意事项**： - 所有参数基于25°C环境条件给出，包括表面安装的电容时间常数t=10秒。 - 最大稳态工作温度为90°C/W，且包装限制的最大电流为90A。 通过这些信息，设计者可以了解到FQD60N03L-VB场效应管在实际设计中的关键性能指标，以及如何选择和优化电路布局以满足其特定的性能需求。在使用时，请确保遵守制造商提供的所有限制和操作指南，以确保产品的长期可靠性和系统安全性。