三星K7B801825M：256Kx36&512Kx18位同步SRAM数据手册

"SAMSUNG-K7B801825M.pdf 是一份由三星电子发布的关于256Kx36位和512Kx18位同步突发静态随机存取存储器(SRAM)的数据手册。文档版本为5.0，发布于1999年11月。三星电子保留更改规格的权利，并承诺对设备参数的询问进行评估和回复。修订历史记录显示了文档从初步草案到最终版本的演变过程，包括对直流特性、ISB电流值和tCD、tCYC时序参数的修改。" 在深入探讨这些知识点之前，先来了解一下Synchronous SRAM（同步SRAM）的基本概念。同步SRAM是一种内存类型，它的读写操作与系统时钟同步，这使得数据传输更快速且更有序。K7B801825M和K7B803625M是三星提供的两款不同容量的SRAM芯片，分别具有256Kx36位和512Kx18位的存储能力。 接下来，我们关注文档中提到的一些关键参数和改动： 1. **直流特性(DC Characteristics)**：这是衡量SRAM性能的重要指标，包括电源电流（ICC）、待机电流(ISB)等。文档中提到了ICC的更改，如在-8温度等级下，电源电流从300mA增加到350mA；在-9和-10温度等级下，也有相应增加。这表明在不同工作条件下，芯片的功耗有所调整。 2. **ISB电流**：ISB代表待机电流，表示在非活动状态下SRAM芯片消耗的电流。文档中记录了ISB在不同温度等级下的变化，例如，在-8、-9和-10温度等级下，ISB的范围从10mA至30mA逐步增加，这可能反映了在更低温度下保持数据稳定所需的额外电流。 3. **时序参数(tCD和tCYC)**：tCD是数据输出延迟时间，而tCYC是周期时间，两者都是衡量SRAM速度的关键参数。文档中提到tCD从8.0ns增加到8.5ns(-8温度等级)，表明数据输出延迟略有增加；同时，tCYC从13.0ns减小到12.0ns(-10温度等级)，意味着整个操作周期变快了，从而提高了芯片的处理速度。 这些参数的变化反映了三星电子在优化其SRAM产品性能上的努力，以适应不同应用场景的需求。对于设计者来说，理解这些参数至关重要，因为它们直接影响到SRAM在实际系统中的表现，如功耗、速度和稳定性。在选择或集成这些SRAM芯片时，必须根据应用的具体需求来考虑这些参数是否满足要求。如果需要进一步的信息或技术支持，应联系最近的三星分支机构或总部。