存储器容量与RAM类型详解：MOS RAM与DRAM对比及逻辑电路特性

本资源主要探讨了存储器和可编程逻辑器件的相关概念和特性。首先，章节通过实际例子说明了存储器地址码位数与存储容量的关系，指出n位地址码对应2^n个存储单元，存储容量以字和位为单位计算。MOS型静态RAM与动态RAM的对比中，静态RAM的优点包括无需刷新但容量小、功耗大；动态RAM则容量大、功耗低，但需定期刷新。 RAM作为主要的技术设备，其关键参数包括容量和工作速度，它们直接影响着存储和数据处理的效率。RAM的工作方式被定义为时序逻辑电路，因为它在读写操作时依赖于先前的状态，需要控制信号来维持存储状态。相比之下，ROM（只读存储器）则是组合逻辑电路，其输出仅基于当前的输入地址，不依赖于之前的状态，常采用与阵和或阵的结构编程。 讨论还涉及了不同类型的可编程逻辑器件，如PROM（可编程读出只一次存储器）、PLA（可编程逻辑阵列）和PAL（可编程阵列逻辑）。PROM和ROM类似，其中与阵固定而或阵可编；PLA则两部分都可编程；而PAL的特点是可编程的与阵和固定的或阵。GAL（通用阵列逻辑）作为一种CMOS工艺的多次编程器件，利用EEPROM技术替代了熔丝，允许多次编程，并且具有更大的灵活性，增加了输出逻辑宏单元以支持不同的输出模式。 这些知识点涵盖了存储器的基本原理、不同类型存储器的比较以及可编程逻辑器件的设计和编程方法，是理解计算机内部数据管理和逻辑控制的基础内容。理解并掌握这些概念有助于深入学习计算机系统架构和硬件设计。