Xilinx器件选型：旋转抛物面天线的近似方向图与增益分析

本资源主要介绍了可得抛物面天线的方向图参量以及其在射电工程中的应用。首先，章节探讨了旋转抛物面天线的口径场分布及其近似计算方法。通过举例，短电偶极子的方向图被用于分析，当焦径比满足特定条件（0.3f/D = 5/4）时，可以简化计算口径面上的场分布，如虚线所示在图11-19中。长焦情况下，使用半径余弦方向图函数得到的口径场分布相对复杂，可以通过典型分布如K×(1 - R^2)^P/2来近似，其中K和P是关键参数，与馈源和焦距有关。 抛物面天线的方向图参量具体为：增益系数约为0.215，副瓣抑制约为1.5dB，主瓣宽度大约为210°，方向图在水平极化下表现为SLL（后瓣损耗）大约为-11.7dB，这些参数对于确定天线的辐射特性至关重要。接着，内容转向了天线增益的讨论，首先介绍了带有反射盘的偶极子作为馈源时的增益计算方法，并指出良好的天线应具备高效的能量转换、定向辐射和适当的极化性能。 对于发射天线，理想情况下应将能量集中在一个特定方向，减少能量浪费。接收天线则需具备选择性，仅接收来自期望方向的信号，同时抵抗其他方向的干扰。例如，卫星电视接收需要高增益、定向性强的天线，如旋转抛物面天线，以克服长距离传输带来的衰减和干扰。 总结来说，这部分内容深入讲解了抛物面天线的技术细节，包括其方向图的计算方法和实际应用中的性能要求，对于理解和设计无线通信系统中的天线设计具有重要意义。