2SJ625-T1B-A-VB: SOT23封装4A P-Channel场效应MOS管，-20V耐压

本文档介绍了一款名为2SJ625-T1B-A-VB的场效应MOS管，它采用SOT23封装，专为P-Channel沟道设计，适用于-20V至-4A的电流范围。该MOSFET的主要特性参数如下： 1. **封装**: SOT23封装，这是一种小型表面安装技术(SMT)封装，适合于紧凑型电路板设计，如1"x1" FR4板，便于集成和散热。 2. **电压特性**: - Drain-Source (DS) 电压：最大工作电压为-20V。 - Gate-Source (GS) 电压：支持±12V的栅极电压范围，但需注意过电压保护。 3. **电流能力**: - 连续导通电流 (ID): 在25°C时，最大值为-4A。随着温度升高（如70°C），电流会有所下降。 - Pulsed Drain Current (DM)：限制在-10A，通常用于脉冲应用。 - Source-Drain Diode Current (IS)：在25°C下，最大连续值为-2A，同样随温度变化。 4. **功率参数**: - Power Dissipation (PD): 在25°C时，最大功耗为2.5W，而在70°C下降低至1.6W或更低。 - Junction-to-Ambient Thermal Resistance (RthJA)：典型值为75°C/W，是衡量散热效率的重要指标。 5. **温度特性**: - Operating Temperature Range (TJ): 设计工作温度范围为-55°C至150°C。 - Storage Temperature Range (Tstg): 可长期储存的温度范围同样为-55°C至150°C。 - Junction-to-Foot Thermal Resistance (RthJ)：在稳态条件下，从结点到基座的热阻约为40°C/W或50°C/W。 6. **其他特性**: - 提供了快速热响应时间（t=5s）。 - Qg(Typ.)，即电荷耦合时间常数，典型值在不同VGS电压下为10nC。 - 为了安全，有最大功率消耗条件下的热管理限制，如在不同温度下对连续和脉冲电流的限制。 这款2SJ625-T1B-A-VB P-Channel MOSFET是一款性能优越的器件，适用于那些对低功耗、紧凑空间和高散热效率要求的应用场合。在设计电路时，需确保遵循其规格和限制条件以避免损坏。