英飞凌IPD50N04S408ATMA1：高效能N沟道增强型晶体管

IPD50N04S408ATMA1是英飞凌(INFINEON)公司的一款OptiMOS®-T2Power-Transistor，这是一款高性能的N沟道增强型晶体管，适用于各种高效率、高可靠性应用。该芯片在设计上满足了工业级标准（AEC-Q101），并且通过了MSL1级别的高温耐受测试，能够承受高达260°C的峰值再流焊温度，并能在175°C的工作温度下稳定运行。 该器件具有以下主要特性： 1. **结构与工作模式**： - N沟道：适合用于增强型模式下，提供低阻抗电流路径。 - **封装类型**：采用PG-TO252-3-313封装，便于散热和小型化设计。 2. **电气规格**： - 连续电流：在25°C时，最大集电极电流ID可达50A；在100°C条件下，脉冲电流ID,pulse可达到200A。 - 集电极-源电压（VDS）：最大值为40V，最大导通电阻（RDS(on)）为7.9mΩ，确保了低阻抗和高效能。 - **安全特性**：单脉冲雪崩能量EAS在25A下的极限为55mJ，单脉冲雪崩电流IAS为50A，确保了器件的抗过载能力。 3. **热性能**： - 热阻值： junction-case热阻RthJC典型值为3.3K/W，junction-ambient热阻RthJA典型值为62°C/W，对于热量管理和散热设计至关重要。 - 工作和存储温度范围广泛，从-55°C到175°C，符合IEC气候类别55/175/56的要求。 4. **环保合规**： - 绿色产品：符合RoHS指令，减少了对环境有害物质的使用，体现了可持续性设计。 5. **认证和版本信息**： - AEC-Q101认证：表明该芯片已通过严苛的汽车电子行业质量标准。 - 最新修订版本：Rev.1.0，发布日期为2010年4月13日。 IPD50N04S408ATMA1是一款适用于工业级应用的高性能晶体管，它在电流驱动能力、热稳定性、环保性能等方面表现出色，是设计师在需要高效、可靠电源管理或开关电路中理想的解决方案。在选择和使用时，需根据具体应用要求考虑其电气参数和热性能限制。