微机存储系统:半导体存储器分类与技术指标解析
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更新于2024-07-15
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该课程件主要讲解了微机原理中的存储器扩展,特别是涉及了存储器的分类、存储器扩展中的译码器使用,以及不同类型存储器如RAM和ROM的技术指标。
在微机原理中,存储器扩展是提高计算机性能的关键部分。存储器通过译码器进行扩展,译码器的作用是将输入的二进制代码转化为对应的输出信号,从而确定存储单元的位置。这种译码过程是编码的逆向操作,用于解析输入代码的特定含义。
存储器主要分为两类:内存储器(内存或主存储器)和外存储器。内存包括随机存储器(RAM)和只读存储器(ROM)。RAM,特别是其中的SRAM(静态RAM)和DRAM(动态RAM),用于临时存储运行时的数据,但数据会在断电后丢失。ROM则包含掩膜ROM、PROM(可编程ROM)、EPROM(可擦除的ROM)和E2PROM(电可擦除的ROM),这些类型的存储器通常用于存储固定的程序或数据,且不易更改。
存储器的主要技术指标包括存储容量、存取时间和存取周期。存储容量由存储单元数量和每个单元的位数决定,例如64K×8或2M×8表示的容量。地址线的数量决定了存储器的寻址范围,如20根地址线对应2^20个存储单元,即1MB。数据线的数量影响数据的宽度,如8位数据线代表每次传输8位数据。
RAM和ROM的存取时间是衡量它们速度的重要参数,存取周期则是连续两次读写操作的最短间隔。对于CPU来说,存取时间越短,数据处理速度越快。存取周期则包括读周期时间和写周期时间。
举例来说,6264 SRAM芯片是8K×8的,这意味着它有8K个存储单元,每个单元8位,需要13条地址线(A0到A12)来覆盖0H到1FFFH的地址范围。而2164 DRAM芯片是64K×1的,需要16条地址线(A0到A15)来寻址0H到FFFFH的范围,由于是1位DRAM,数据线只需1条。
在微机系统中,存储器的地址通常是按字节编排的,因此容量常用KB、MB、GB、TB等单位表示。理解这些基本概念对于理解和设计微机存储系统至关重要。
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