英飞凌IPI076N12N3G芯片中文规格书：低阻高性能

"IPI076N12N3 G是英飞凌（INFINEON）公司生产的一款OptiMOSTM3功率晶体管，该芯片提供了中文版的规格书手册。这款芯片主要特点是N沟道、正常电平驱动，具备出色的门极电荷与RDS(on)乘积（FOM），拥有非常低的导通电阻RDS(on)，可在175°C的高温下工作，并符合无铅、RoHS和卤素免费的标准。此外，它已按照JEDEC标准进行资格认证，适用于高频开关和同步整流应用。" IPI076N12N3G的主要特性包括： 1. N沟道设计，采用正常电平驱动。 2. 极高的性能指标，门极电荷与RDS(on)乘积（FOM）优秀，意味着在高速开关时能保持高效能。 3. 非常低的导通电阻RDS(on)，这有助于减少工作时的功率损耗，提高效率。 4. 芯片可承受175°C的高温操作，扩展了其在高温环境下的应用范围。 5. 符合环保要求，采用无铅镀层，符合RoHS和卤素免费规定。 6. 已通过JEDEC标准认证，适合目标应用，确保了可靠性和稳定性。 在电气参数方面，IPI076N12N3G的最大额定值包括： 1. 连续漏电流（ID）在25°C时为100A，100°C时为76A。 2. 脉冲漏电流（ID,pulse）在25°C时可达400A。 3. 单脉冲雪崩能量（EAS）在ID=100A，RGS=25W时为230mJ。 4. 门极源电压（VGS）允许的最大值为±20V。 5. 总功率耗散（Ptot）在25°C时为188W。 6. 操作和存储温度范围为-55°C至175°C。 7. 绝缘耐压（VDS）为120V，最大RDS(on)为7.6mΩ，连续漏电流（ID）的最大值为100A。 封装形式有PG-TO262-3和PG-TO220-3，产品标记为076N12N。 热特性方面，IPI076N12N3G具有一定的热阻，这些参数对于评估芯片在不同散热条件下的性能至关重要。 IPI076N12N3G是一款高性能、高耐温、环保的功率晶体管，适用于需要高效能、低损耗和稳定性的电源管理、开关电源和同步整流等应用场景。其详细规格书手册提供了全面的技术参数和使用指导，便于工程师在设计和应用中进行选择和优化。