南亚科技128x8 DDR3内存芯片规格说明书

"南亚科技发布的128x8 DDR3内存芯片的datasheet，包括NT5CB128M8DN、NT5CB64M16DP等型号，适用于DDR3/L-1066到DDR3-2133的不同频率，列出了CAS延迟时间（CL）的各种速度等级，以及相关的时钟周期和参数规格。" DDR3（Double Data Rate 3）是一种广泛应用于个人电脑、服务器和各种嵌入式系统的动态随机存取存储器（DRAM）。南亚科技作为知名的内存制造商，提供了一系列128x8位的DDR3内存芯片，这些芯片在不同的速度等级下具有不同的性能表现。 datasheet中的内容详细介绍了产品的关键特性、频率和CAS（Column Address Strobe）延迟。 表1列出了不同型号芯片的速度等级，如-BE、-CF、-DH、-EI和-FK，分别对应DDR3/L-1066-CL7、DDR3/L-1333-CL8、DDR3/L-1600-CL10、DDR3-1866-CL11和DDR3-2133-CL13。这里的CL表示CAS延迟，是内存访问数据的关键指标，数值越小，内存响应速度越快。例如，-BE系列的CAS延迟为7，而-FK系列的延迟则为13。 时钟频率（tCK）是衡量DDR3内存工作速度的核心参数， datasheet给出了每种速度等级的最小和最大时钟周期，单位为ns（纳秒）。比如，-BE系列的最小时钟周期为13.125ns，最大为12ns，而-FK系列的最小时钟周期为10.66ns，最大为12.155ns。这些值代表了每个时钟周期的平均时间，对计算内存带宽至关重要。 此外，还提到了不同CL下的平均时钟周期，例如，对于CL5，时钟周期范围从2.5ns到3.3ns，这表示在低延迟设置下，内存可以更快速地处理数据请求。随着CL的增加，时钟周期相应延长，但仍然保持在特定范围内，以确保系统稳定性。 南亚的128x8 DDR3内存芯片提供了广泛的性能选择，适应不同需求的系统配置。通过选择合适的CL和频率，用户可以根据其应用的具体需求平衡性能和功耗。同时， datasheet中提供的详细规格对于硬件设计者和系统集成商来说是至关重要的参考资料，他们需要这些信息来确保兼容性和优化系统的整体性能。