Si4286DY-T1-GE3-VB: 60V双N沟道SOP8封装场效应管技术规格

Si4286DY-T1-GE3-VB是一款高性能的双N沟道60V（D-S）175°C耐高温的场效应晶体管，采用Trench FET®技术，它具有出色的功率处理能力和低导通电阻特性。这款晶体管是专为工业级应用设计，特别适合于需要高效率、小型化和可靠性的电子设备。 该晶体管的特点包括： 1. 封装: 采用SOP8封装，这种紧凑型设计有助于减小电路板占用空间，方便集成在各种尺寸的应用中。 2. 电压规格: - VDS (Drain-Source Voltage): 最大工作电压高达60V，确保了足够的隔离和电压承载能力。 - VGS (Gate-Source Voltage): 具有±20V的宽广操作范围，兼容多种控制信号要求。 3. 电流参数: - RDS(on): 在VGS = 10V时，导通电阻仅为0.028Ω，表现出极高的开关速度和效率。 - ID: 每个通道的最大连续导通电流为7A，而当温度升高到125°C时，仍能保持4A的性能。 - 当作为二极管使用时，IS (Continuous Source Current) 和 IAS (Single Pulse Avalanche Current) 也有明确的限制。 4. 热性能: - PD (Maximum Power Dissipation): 在25°C下，允许的最大功率损耗为4W，而在高温条件下有所下降。 - RthJA (Junction-to-Ambient Thermal Resistance): 与环境的热阻为110°C/W，有助于散热管理。 5. 操作温度范围: - TJ (Operating Junction Temperature) 和 Tstg (Storage Temperature Range): 该器件能够工作在-55°C至+175°C的极端环境中，适应不同应用场景的需求。 6. 脉冲测试规格: - 脉冲宽度和占空比限制确保了长时间稳定运行，但需要注意在特定条件下（如脉冲宽度≤300μs，占空比≤2%）的使用。 7. 注意事项: - 包装限制可能影响某些特性或应用，例如安装在1"平方PCB（FR4材料）上时需考虑。 - 电路设计时需遵循制造商提供的推荐条件，以确保晶体管的寿命和性能。 Si4286DY-T1-GE3-VB场效应管凭借其卓越的性能、紧凑的封装和广泛的温度适应性，是工业级电源管理、电机驱动等应用的理想选择，但在实际使用中，必须充分理解并遵守所有限制和建议的参数。