J626-T1B-A-VB：高性能SOT23封装P-Channel MOSFET

"J626-T1B-A-VB是一款采用SOT23封装的P-Channel场效应MOS管，适用于高压隔离和低热阻应用。它具有高电压隔离能力，达到2.5kVRMS，漏极-源极电压（VDS）为-60V，最大连续漏极电流（ID）为-5.2A，阈值电压（Vth）为-2V。此外，该器件具备低栅极电荷（Qg）、动态dV/dt评级和铅(Pb)-free选项。" J626-T1B-A-VB是一款P-Channel沟道MOSFET，其主要特性包括： 1. **封装形式**：SOT23封装，这种小型封装适合在空间有限或对电路板面积有严格要求的应用中使用。 2. **高压隔离**：器件提供2.5kVRMS的隔离能力，这意味着在60秒、60Hz的条件下，器件能够承受这样的电压而不至于失效，这在需要电气隔离的电路设计中非常重要。 3. **耐压与电流能力**：漏极-源极电压(VDS)的最大值为-60V，表示此MOSFET可以承受的最大反向电压。同时，最大连续漏极电流(ID)为-5.2A，表明其能处理的持续电流大小。 4. **阈值电压**：Vth=-2V，这是栅极与源极之间的电压，当这个电压达到时，MOSFET开始导通。 5. **热性能**：该MOSFET具有低热阻，意味着它可以更有效地散热，这对于高功率应用或在高温环境下工作至关重要。 6. **动态dV/dt评级**：这个特性确保了MOSFET在快速电压变化下仍能保持稳定工作，适用于需要快速开关的应用。 7. **环境适应性**：能够在175°C的高温环境中工作，增强了其在恶劣条件下的适用性。 8. **脉冲电流能力**：除了连续电流外，还能够承受脉冲电流，如IDM的21A，以及在特定条件下限制的dI/dt。 9. **安全标准**：符合RoHS标准，意味着它不含铅，符合环保要求。 **绝对最大额定值**： - **漏极-源极电压**（VDS）：-60V - **栅极-源极电压**（VGS）：±20V - **最大连续漏极电流**（ID）：-5.2A（在VDS = -10V，TJ = 100°C时线性降额至-3A） - **脉冲漏极电流**（IDM）：21A - **最大功率耗散**（PD）：27W（在TJ = 25°C） 此外，MOSFET还具有单脉冲雪崩能量（EAS）和重复雪崩能量（EAR），以及相应的雪崩电流（IAR）限制，这些参数确保了在短路或过载情况下，MOSFET能够安全运行，不会因内部电荷积累导致损坏。 J626-T1B-A-VB是适合于需要高效能、高隔离和紧凑封装的P-Channel MOSFET应用的理想选择，广泛应用于电源管理、驱动电路、保护电路等领域。