LM5104：高性能半桥门驱动器技术规格

"TI-LM5104.pdf 是德州仪器（TI）生产的一款高电压半桥门驱动器LM5104的资料，通常用于驱动异步降压配置中的高侧和低侧N沟道MOSFET。该器件具备自适应延迟功能，能有效防止射穿问题，并且具有可编程的额外延迟时间。" TI的LM5104是一款高性能的高电压半桥门驱动器，适用于需要驱动高压MOSFET的应用，特别是在电力转换和电源管理领域。这款驱动器设计独特，能够同时驱动高侧和低侧的N沟道MOSFET，适用于异步降压（Buck）拓扑结构。高侧驱动器能够在高达100V的电源电压下工作，而仍然保持良好的隔离和控制。 该驱动器的主要特性包括： 1. 自适应上升和下降沿：LM5104具有自适应的上升和下降沿控制，可以防止在开关过程中出现的“射穿”现象，即在两个MOSFET同时导通时导致的短路情况。这种自适应控制机制确保了安全可靠的开关操作。 2. 单输入控制：LM5104仅需一个输入信号就可以控制高侧和低侧MOSFET的状态，简化了系统的控制逻辑，提高了系统的效率。 3. 可编程额外延迟：除了自适应的过渡时间外，用户还可以通过外部设置电阻来添加一个比例的额外延迟时间，这增加了设计的灵活性，可以根据具体应用的需求调整驱动器的响应速度。 4. 快速关断传播延迟：典型的关断延迟时间为25ns，这意味着LM5104可以快速响应关闭命令，这对于高速开关操作至关重要。 5. 驱动能力强：驱动器能够驱动1000pF的负载，并在15ns内完成上升和下降的时间，表现出优秀的负载驱动能力。 6. 浮置高侧驱动器：由于高侧MOSFET需要在高于电源电压的电平上工作，LM5104内置了浮置高侧驱动器，能够在高达118V DC的 bootstrap 供应电压范围内正常工作。 7. 保护功能：此外，LM5104还集成了如欠压锁定（UVLO）等保护功能，对高侧和低侧分别有独立的UVLO检测，确保在不正常工作条件下能及时切断电源，保护电路。 LM5104是一款功能强大、安全可靠、易于集成的高电压半桥门驱动器，适合于需要精确控制和高电压操作的电源系统设计。用户可以通过查阅TI提供的datasheet（如SNVS269D）获取更详细的技术参数、应用电路图、封装信息以及使用指导。同时，TI还提供了样片、软件工具和社区支持，以帮助开发者更好地利用这款驱动器。