英飞凌BSC025N03MS G OptiMOS™3M 芯片规格书

"BSC025N03MS G INFINEON 英飞凌芯片 中文版规格书手册.pdf" 本文将详细介绍英飞凌科技公司生产的BSC025N03MS G OptiMOS™3M系列功率MOSFET芯片的主要特性和技术参数。这款芯片专为5V驱动应用设计，如笔记本电脑、显卡和POL电源管理，具有出色的性能和可靠性。 一、主要特点 1. 优化适用于5V驱动应用：设计考虑了在笔记本电脑、VGA显卡和POL电源中的高效运行。 2. 低开关损耗：在高频开关电源（SMPS）中表现出低的FOM（Figure of Merit，表征开关损耗与导通电阻之比）。 3. 100%雪崩测试：确保在高应力条件下的稳定性。 4. N沟道MOSFET：提供正向电压控制的电流路径。 5. 极低的栅极电荷与RDS(on)乘积：优化开关性能和效率。 6. 符合JEDEC标准：适用于目标应用的合格认证。 7. 出色的热阻：提高散热效率，降低过热风险。 8. 无铅电镀，符合RoHS指令：环保设计，不含铅。 9. 按照IEC61249-2-21标准，不含卤素：进一步提升环保属性。 二、最大额定值 1. 在25°C结温下，连续漏电流ID为100A，100°C时降至93A，4.5V栅极电压时保持在100A，100°C时减至85A。 2. 脉冲漏电流ID,pulse在25°C时可达400A。 3. 单脉冲雪崩电流IAS在25°C时为50A。 4. 单脉冲雪崩能量EAS，在50A的ID和25Ω的RGS条件下为135mJ。 5. 栅源电压VGS的最大值为±20V。 三、封装和型号 BSC025N03MS G采用PG-TDSON-8封装，封装标记为025N03MS，且VDS的最大额定电压为30V，最大RDS(on)在10V栅极电压下为2.5mΩ，在4.5V栅极电压下为3mΩ。 四、产品总结 这份Rev.1.15的规格书是在2009年10月22日发布的，提供了BSC025N03MS G芯片的全面概述，强调了其在电源管理领域的高性能和低损耗特性，是适用于各种需要高效能和低能耗解决方案的应用的理想选择。 BSC025N03MS G是一款针对高效5V驱动应用的高性能功率MOSFET，其出色的开关性能、低电阻和强大的雪崩耐受能力使其成为电源设计中的理想组件。同时，它的环保特性符合RoHS和无卤素标准，确保了产品的可持续性。