DDR3超频SPD设置详解

本文主要讨论了在i7-960 CPU上进行DDR3内存超频时，关于主板上的SPD（Serial Presence Detect）设置的知识。SPD是内存模块上的一种电子芯片，它存储了内存模块的重要信息，包括速度、电压、时序等，以供系统正确配置内存运行参数。 在超频DDR3内存时，了解并正确设置SPD至关重要，因为这直接影响到内存的稳定性和性能。以下是一些关键的SPD设置参数： 1. **Revision** (修订版): 这里显示的是12，意味着这是DDR3内存的标准版本，用于确认内存模块的规格和兼容性。 2. **DRAMDeviceType** (DRAM设备类型): 值为0B，表示这是DDR3 SDRAM，一种广泛使用的内存类型。 3. **ModuleType** (模块类型): 02代表UDIMM（无缓冲双列直插内存模组），常见于桌面电脑系统。 4. **SDRAMDensityandBanks** (SDRAM密度和银行): 03表示8个内存bank，每个bank的大小为2Gb，总容量可以通过这个信息计算得出。 5. **SDRAMAddressing** (SDRAM寻址): 19表示有15行地址和10列地址，这是DDR3内存的标准配置。 6. **VDD** (工作电压): 00表示该内存支持1.5伏的操作电压，这是DDR3内存的标准电压。 7. **ModuleOrganization** (模块组织): 09表示单Rank（行列），8位SDRAM，64位总线宽度，这定义了内存的物理结构。 8. **FineTimeBase** (精细时间基数): 52表示2.5ps的时间精度，这是内存时序调整中的一个重要参数。 9. **MediumTimeBasedividend** 和 **MediumTimeBasedivisor** (中等时间基数的乘数和除数): 这两个参数与内存的时钟周期计算有关，影响内存的工作频率。 10. **TckMin** (最小时钟周期): 这里的值决定内存的最小时钟周期，例如0C表示1.5ns，对应DDR3-1333的时钟周期。 11. **CLsupported** (CAS延迟支持): CL是内存读取操作的列地址至数据输出之间的延迟，这里的LSB和MSB组合表示支持的CAS延迟范围，如7E表示支持5-10CKs。 12. **tAAmin** (最小行激活时间): 64表示13.125ns，这是DDR3-1333和DDR3-1600内存的最小行激活时间。 13. **tWRmin** (最小写恢复时间): 这是内存写入操作后，行预充电所需的时间，影响内存写入速度。 在超频过程中，调整这些SPD设置可以优化内存性能，但需谨慎操作，因为不正确的设置可能导致系统不稳定或损坏硬件。通常，超频内存涉及调整电压、时序（如CAS延迟、RAS至CAS延迟、RAS预充电时间等）以及内存频率。确保散热良好，避免过热，也是超频过程中的重要考虑因素。