B16A Fortis 256GB TLC NAND Flash Die规格与性能

本文档是关于B16A Fortis Flash™型号的256GB NAND Flash Die的规格书，由2017年3月13日修订D版本发布。该规格书详细描述了这款闪存芯片的主要特性、接口兼容性、技术规格以及操作性能。 1. **接口兼容性**: - B16A Fortis Flash采用了开放型NAND Flash Interface (ONFI) 4.0标准，确保与多种系统兼容。 - 同时支持JEDEC NAND Flash Interface Interoperability (JESD230C)，增强了与其他设备的互操作性。 2. **存储结构**: - 使用的是Triple-Level Cell (TLC) 技术，提供高密度存储，每个Die包含256GB，即1008个块，每个块包含2304页，每页大小为18,592字节（16,384数据位加上2208位的校验位）。 3. **性能指标**: - NV-DDR2接口下，最高可达8级时序模式，读写速度高达533 MT/s。 - 非同步接口支持至5级时序模式，最小读写延迟时间为20 ns，非缓存下的读写速率为50 MT/s。 - 在阵列性能方面，SnapRead操作典型时间为51微秒，Read Page操作为75微秒，有效编程页面时间为800微秒，Erase Block操作典型时间需要15毫秒。 4. **电压范围**: - 工作电压范围宽，支持2.7V到3.6V的主电源电压(VCC)和1.7V到1.95V的备用电源电压(VCCQ)。 5. **命令集**: - 基于ONFI Flash协议，还包括高级命令集，如程序缓存、顺序和随机读取缓存、一次性可编程(OTP)模式、多平面命令执行、多逻辑单元操作、读取唯一ID和复制回写等功能。 6. **其他特性**: - 设计灵活，支持单次编程模式，以及多计划的操作能力，提高数据处理效率。 这份规格书对于理解B16A Fortis Flash™ 256GB NAND Die的内部架构、性能表现以及应用场景具有重要参考价值，适用于电子工程师、硬件开发者和系统集成者在设计或选择存储解决方案时进行技术选型。