英飞凌IPD50N04S4-10 OptiMOS®-T2 功率晶体管技术规格

"IPD50N04S4-10是英飞凌公司生产的OptiMOS-T2功率晶体管，适用于电子元器件应用。这款芯片具有N沟道增强模式，符合AEC-Q101汽车级标准，能够在高达260°C的峰值再流温度下工作，并且满足MSL1湿度敏感级别。它可在175°C的高温下持续运行，是一款绿色环保的RoHS合规产品，并经过100%雪崩测试验证其稳定性。在25°C时，连续漏电流ID为50A，脉冲漏电流可达200A，单脉冲雪崩能量为42mJ，最大栅极源电压为±20V，总功率耗散为41W。该器件的工作和储存温度范围为-55°C到175°C，符合IEC气候类别55/175/56。此外，其额定的漏-源电压VDS为40V，最大漏-源导通电阻RDS(on)为9.3mΩ。封装形式为PG-TO252-3-313，标记为4N0410。" 详细说明: IPD50N04S4-10是一款由英飞凌科技制造的高性能功率晶体管，其主要特点是N通道增强模式，这意味着在没有栅极电压（VGS）时，该晶体管不会导通，只有当VGS超过一定阈值时，才会允许电流通过。这款器件经过AEC-Q101认证，确保了它适用于汽车电子领域，满足严格的可靠性标准。 关于热特性，IPD50N04S4-10具有良好的散热性能。其结-壳热阻RthJC为3.7K/W，表明了从芯片内部到外壳的热能传递效率。而结-环境热阻RthJA为62K/W，这个数值表示了从芯片到周围环境的热传导效率，对于一个封装在TO252封装中的器件来说，这是一个常见的值。高热阻可能导致器件在大功率应用中过热，因此在设计电路时需要考虑适当的散热措施。 该芯片的最大连续漏电流ID在25°C和10V栅极电压下为50A，但在100°C时降至36A，这反映了随着温度升高，器件的电流承载能力会下降。脉冲漏电流ID,pulse在25°C时可达到200A，展示了其短时处理大电流的能力。此外，单脉冲雪崩能量EAS为42mJ，意味着该晶体管可以承受一定的过载而不损坏。 栅极源电压VGS的范围为±20V，确保了良好的控制能力。总功率耗散Ptot在25°C时为41W，意味着在不超过这个值的情况下，器件可以长期稳定工作。漏-源电压VDS为40V，而最大漏-源导通电阻RDS(on)仅为9.3mΩ，意味着在导通状态下，该晶体管的内阻很小，能够提供低损耗的电源开关功能。 IPD50N04S4-10是一款适合于高功率、高效率应用的N沟道MOSFET，适用于汽车电子、工业控制、电源转换等领域。其出色的热管理和耐压能力，以及低RDS(on)，使其成为高效能电路设计的理想选择。