AM3414E3R-VB SOT23封装N-Channel MOSFET技术规格与应用

"AM3414E3R-VB是一款由VBsemi生产的SOT23封装的N-Channel场效应MOS管，适用于DC/DC转换器等应用。这款MOS管具有低导通电阻（RDS(ON)在VGS=10V时为30mΩ，VGS=20V时为33mΩ），以及1.2~2.2V的阈值电压。其特点是无卤素，符合IEC61249-2-21标准，100%栅极电阻测试，并符合RoHS指令2002/95/EC。" AM3414E3R-VB是一款高性能的N沟道沟槽型场效应MOSFET，采用紧凑的SOT23封装，适用于空间有限且需要高效能的电子设备。该器件的Drain-Source电压VDS额定值为30V，能承受高电压操作，而连续漏电流ID在不同温度下有不同的最大值，例如在25°C时为6.5A，70°C时则下降到6.0A。它的栅极源电压VGS可达到正负20V，确保了良好的开关性能。 这款MOSFET的低RDS(ON)意味着在导通状态下，其内部电阻小，因此在大电流通过时产生的功率损耗较低，这有助于提高系统的整体效率。Qg参数表明总栅极电荷为4.5nC，这是一个衡量MOSFET开关速度的关键指标，数值越小，开关速度越快，功耗也越小。 此外，AM3414E3R-VB符合RoHS指令，不含卤素，这是环保和可持续发展的体现。100%的Rg测试确保了每个器件的可靠性和一致性。这款MOSFET还内置了源漏二极管，允许电流在源极和漏极之间单向流动，方便在某些应用中作为简单的稳压元件。 在热性能方面，MOSFET的结温（TJ）和储存温度范围为-55°C至150°C，保证了在各种环境条件下的稳定性。推荐的焊锡峰值温度为260°C，这符合常规SMT工艺的要求。然而，值得注意的是，不同温度下的最大功率损耗（PD）会有所变化，例如在25°C时为1.7W，在70°C时则降至0.7W，这要求在设计时充分考虑散热。 AM3414E3R-VB是设计者在需要小巧、高效、低电阻和良好热管理的电源转换应用中的一款理想选择。其出色的电气特性和环保特性，使得它在众多N沟道MOSFET中脱颖而出，适用于各种DC/DC转换器和其他需要高效能开关功能的电路设计。