Hynix HY62SF16404D: 256Kx16bit SuperLowPower FCMOS SRAM 技术规格

"HYNIX HY62SF16404D-DF.pdf 是一份关于Hynix Semiconductor公司的256Kx16bit Super Low Power FCMOS Slow SRAM的产品规格说明书，主要介绍了HY62SF16404D系列芯片。文档可能包含了产品的特性、技术规格、应用领域及更新历史等信息。" 本文档详细阐述了Hynix Semiconductor推出的HY62SF16404D系列芯片，这是一款高速、超低功耗的4Mbit全CMOS静态随机存取存储器（SRAM），其组织结构为256K字x16位。该芯片采用了高性能的全CMOS工艺技术，旨在实现高速度和低功耗的电路设计，特别适用于高密度低功耗系统应用。 HY62SF16404D的主要特性包括： 1. 完全静态操作：这意味着该芯片在不刷新的情况下也能保持数据，无需动态时钟周期。 2. 三态输出：提供三态输出控制，能够在总线系统中方便地切换到高阻抗状态，以减少对总线的影响。 3. 超低功耗：设计用于低功率应用，减少了系统运行时的能耗。 4. 数据保留模式：在最低1.2V的电源电压下，设备仍能保证数据的有效性，即使在断电情况下也能保留数据，增强了数据的可靠性。 5. 高速性能：尽管是低功耗设计，但仍然具有高速读写能力，适合需要快速数据处理的场合。 文档的修订历史显示，该文档至少经历了四次修订，分别在2000年12月、2001年3月、2001年6月和2001年8月，涉及了公司标志的更改、ISB1值的调整以及封装尺寸的微调等改进。 此款芯片的详细规格可能涵盖了电源电压范围（1.7~2.3V）、工作温度、访问时间、功耗参数、封装类型等。由于标签没有提供具体信息，无法进一步展开这些细节。但可以推断，用户在设计系统时会依据这些规格来确保HY62SF16404D与系统的兼容性和效率。在实际应用中，这款SRAM可能被用于嵌入式系统、移动设备、物联网设备等需要高效能、低功耗存储解决方案的场景。