2SJ532-VB: 60V P沟道TO220F封装高性能MOS管

2SJ532-VB是一款P沟道TO220F封装的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），它属于Trench FET®系列高性能电源MOSFET。这款器件的特点包括： 1. **环保特性**：符合IEC 61249-2-21标准，不含卤素，体现了对环境友好的设计。 2. **性能指标**： - 驱动电压：最大集电极-源极电压（VDS）为-60V。 - RDS(on)（开启电阻）在VGS = -10V时，典型值为0.050Ω。 - 当VGS = -4.5V时，允许的最大连续电流（ID）为0.060A。 - 提供了过载保护：最大脉冲电流（IDM）在300μs下可达-100A，单次雪崩电流（IAS）为-32A。 - 安全性考虑：单个雪崩能量（EAS）为51mJ，最大功率损耗（PD）在25°C下为41.7W。 - 工作温度范围宽广：从-55°C到150°C，包括操作和储存温度。 3. **散热性能**： - 焊盘安装时的热阻（Junction-to-Ambient）为RthJA = 60°C/W。 - 集电极-管壳热阻（Junction-to-Case）为RthJC = 3°C/W，确保良好的散热管理。 4. **封装形式**：采用TO-220全包式封装，提供良好的电气隔离和机械稳定性。 5. **测试与合规性**：100%的Rg和UISTest，符合RoHS指令2002/95/EC，但需注意最大占空比限制（duty cycle ≤ 1%）以及电压降的影响。 6. **支持信息**：产品概述提供了详细的技术规格，同时提供了客户服务热线400-...，以获取进一步的产品咨询和故障支持。 2SJ532-VB适用于对高效率、低功耗、紧凑封装有需求的电子系统，特别适合于那些需要良好散热管理和严格环保要求的应用场景。设计师在选择和使用该器件时，应仔细参考其特性曲线和安全工作区（SOA）以确保设备的稳定运行。