DMG9933USD-VB：2个-30V/-7A P-Channel MOSFET的SOP8封装技术规格

DMG9933USD-VB是一款由VBSEMICONDUCTORS生产的双P-Channel场效应MOSFET，采用先进的Trench FET技术，具有低栅极到源极电压（VGS）驱动能力。这款器件的主要特性包括： 1. **封装类型**：SOP8封装，这意味着它有8个引脚，适合于小型化和表面安装设计，能在1"x1"的FR4板上轻松集成。 2. **电气规格**： - **电压等级**：最大集电极到源极电压（VDS）为-30V，这使得它适用于高电压应用。 - **漏电流**：在VGS = 10V时，RDS(ON)（开启电阻）低至35mΩ，表明其低阻抗性能。随着VGS上升至20V，RDS(ON)进一步降低。 - **阈值电压**（Vth）：P-Channel MOSFET的导通阈值电压为-1.5V。 - **电流能力**：连续工作时，最大集电极电流ID在-30V下可达-7.3A，而且在不同的温度条件下有限制，如70°C时降为-7.0A。 3. **热性能**： - **散热**：考虑了最大功耗下的热设计，如在25°C下，最大功率损耗PD为5.0W，而在70°C时降低至3.2W。同时，提供了热阻Ma的典型值，用于计算内部热量传递。 - **温度范围**：该器件的正常工作和存储温度范围在-55°C至150°C之间。 4. **安全性**：产品经过100% UISTested（未知缩写，可能是某种质量或测试认证），确保了可靠性和稳定性。 5. **应用领域**：DMG9933USD-VB适用于负载开关等需要高效、低损耗开关功能的电路，尤其是在-30V电压环境下。 6. **注意事项**： - 非瞬态脉冲电流限制（如I_D_M）和单脉冲雪崩能量（E_A_S）也列出了具体数值。 - 当环境温度超过70°C时，某些参数会有显著下降，比如ID和I_A_L。 DMG9933USD-VB是一款高性能、低功耗的P-Channel场效应MOSFET，适用于需要在高压和高温环境下工作的电子设备，特别适合那些对开关速度、能耗和热管理有严格要求的应用。