INFINEON 英飞凌IPP026N10NF2S MOSFET功率晶体管规格书

IPP026N10NF2S INFINEON 英飞凌芯片规格书手册.pdf 本文档为INFINEON 英飞凌芯片的规格书手册，型号为IPP026N10NF2S，版本号为Rev. 2.0，发布日期为2020-12-18。该芯片是一种N-Channel MOSFET功率晶体管，具有优异的性能和可靠性。 **概述** IPP026N10NF2S是一种强大的MOSFET功率晶体管，适用于广泛的应用领域。它具有100%的avalanche测试，Pb-free的铅免镀层，符合RoHS标准，且不含卤素，符合IEC61249-2-21标准。该芯片经过JEDEC标准的认证和验证。 **主要特性** IPP026N10NF2S MOSFET功率晶体管具有以下主要特性： * Drain-Source电压（VDS）：100V * 最大电流（ID）：184A * 最大导通电阻（RDS(on)）：2.6mΩ * 输入电容（Qoss）：131nC * 门电容（QG）：103nC **应用场景** IPP026N10NF2S MOSFET功率晶体管适用于各种应用场景，包括： * 电源管理 * dc-dc_converter * 电机控制 * 电子设备 **性能参数** IPP026N10NF2S MOSFET功率晶体管的性能参数如下： * 最大电流（ID）：184A * 最大导通电阻（RDS(on)）：2.6mΩ * 输入电容（Qoss）：131nC * 门电容（QG）：103nC **热特性** IPP026N10NF2S MOSFET功率晶体管的热特性如下： * 工作温度范围：-55°C to 150°C * 储存温度范围：-55°C to 150°C **电气特性** IPP026N10NF2S MOSFET功率晶体管的电气特性如下： * Drain-Source电压（VDS）：100V * 门源电压（VGS）：±20V * 最大电流（ID）：184A **封装规格** IPP026N10NF2S MOSFET功率晶体管的封装规格为PG-TO220-3，尺寸为60-62mil。 **相关链接** IPP026N10NF2S MOSFET功率晶体管的相关链接包括： * 数据手册 * 应用笔记 * 技术支持 **版权信息** IPP026N10NF2S MOSFET功率晶体管的版权信息如下： * 版权所有：INFINEON Technologies AG * 版本号：Rev. 2.0 * 发布日期：2020-12-18