全面解读IEC 60749-26静电放电敏感度测试人体模型

资源摘要信息:"IEC 60749-26-2018第 26 部分：静电放电(ESD)敏感度测试 人体模型(HBM)" IEC 60749-26-2018第26部分详细说明了如何对半导体器件进行静电放电(ESD)敏感度测试，使用的是人体模型(HBM)。本部分是IEC 60749标准的一部分，该标准是一系列的测试方法，旨在评估半导体器件在各种机械和气候条件下的性能和可靠性。以下是各部分的详细介绍： 1. 第1部分：总则，概述了标准的适用范围和使用方法。 2. 第2部分：低气压，检验器件在低气压环境下的性能。 3. 第3部分：外部目检，对器件的外部物理检查进行规范。 4. 第4部分：强加速稳态湿热试验(HAST)，测试器件在湿热条件下的可靠性。 5. 第5部分：稳态温湿度偏置寿命试验，评估器件在规定温度和湿度条件下长期运行的可靠性。 6. 第6部分：高温贮存，测试器件在高温条件下的贮存特性。 7. 第7部分：内部水汽含量测试和其他残余气体分析，分析器件内部的水汽含量和其他气体成分。 8. 第8部分：密封，确保器件的密封性能达到要求。 9. 第9部分：标志面耐久性，检验器件标识的持久性和抗磨损能力。 10. 第10部分：机械冲击，评估器件承受机械冲击的能力。 11. 第11部分：快速温度变化双液槽法，测试器件在快速温度变化条件下的性能。 12. 第12部分：扫频振动，评估器件在不同频率振动条件下的抗振性能。 13. 第13部分：盐雾，检验器件在盐雾环境中的耐腐蚀性能。 14. 第14部分：引出端强度(引线牢固性)，测试器件引出端或引线的机械强度。 15. 第15部分：通孔安装器件的耐焊接热，评估通孔安装器件在焊接过程中的热应力承受能力。 16. 第16部分：粒子碰撞噪声检测（PIND），使用PIND技术检测器件内部的微粒缺陷。 17. 第17部分：中子辐照，测试器件在中子辐照条件下的性能。 18. 第18部分：电离辐射(总剂量)，检验器件在受到电离辐射影响下的功能稳定性。 19. 第19部分：芯片剪切强度，测试半导体芯片与基板之间粘接的剪切强度。 20. 第20部分：塑封表面安装器件耐潮湿和焊接热综合影响，评估塑封表面安装器件在潮湿和焊接热共同作用下的可靠性。 21. 第20-1部分：对潮湿和焊接热综合影响敏感的表面安装器件的操作、包装、标志和运输，提供了相关操作和处理的指南。 22. 第21部分：可焊性，评估器件焊接端子的可焊性。 23. 第22部分：键合强度，测试器件内部的键合连接强度。 24. 第23部分：高温工作寿命，测试器件在高温下的工作寿命。 25. 第24部分：加速耐湿无偏置强加速应力试验（HSAT），评估器件在没有偏置条件下的加速耐湿性能。 26. 第25部分：温度循环，检验器件在温度循环条件下的性能稳定性。 27. 第26部分：静电放电(ESD)敏感度测试人体模型(HBM)，本部分的详细介绍对象。 28. 第27部分：静电放电(ESD)敏感度测试机器模型(MM)，使用机器模型测试ESD敏感度。 29. 第28部分：静电放电(ESD)敏感度试验带电器件模型（CDM）器件级，使用带电器件模型(CDM)测试器件级的ESD敏感度。 30. 第29部分：闩锁试验，检验器件的闩锁特性。 31. 第30部分：非密封表面安装器件在可靠性试验前的预处理，提供了非密封表面安装器件的预处理指南。 32. 第31部分：塑封器件的易燃性(内部引起的)，评估塑封器件因内部因素引发的易燃性。 33. 第32部分：塑封器件的易燃性(外部引起的)，评估塑封器件因外部因素引发的易燃性。 34. 第33部分：加速耐湿无偏置高压蒸煮，使用高压蒸煮方法测试器件在加速耐湿条件下的性能。 35. 第34部分：功率循环，检验器件在功率循环条件下的耐久性。 36. 第35部分：塑封电子元器件的声学扫描显微镜检查，使用声学扫描显微镜技术检查塑封元器件的内部结构。 37. 第36部分：恒定加速度，测试器件在恒定加速度条件下的性能。 38. 第37部分：基于加速度计的板面液滴测试方法，提供了一种基于加速度计的测试板面液滴的方法。 39. 第38部分：带存储器的半导体器件软误差测试方法，测试带有存储器的半导体器件在受到软误差影响下的性能。 40. 第39部分：半导体元件用有机材料中水分扩散率和水溶性的测量，测量有机材料中水分的扩散率和水溶性。 41. 第40部分：基于应变仪的板面液滴试验方法，提供了一种基于应变仪的测试板面液滴的方法。 42. 第41部分：非易失性存储器的标准可靠性试验方法，制定了非易失性存储器的标准可靠性测试方法。 43. 第42部分：温湿度贮存，评估器件在不同温度和湿度贮存条件下的性能。 44. 第43部分：集成电路可靠性认证计划指南，为集成电路可靠性认证计划提供了指南。 45. 第44部分：半导体器件的中子辐照单粒子效应（SEE）试验，测试器件在中子辐照下的单粒子效应（SEE）。 上述各部分共同组成了IEC 60749标准，它是半导体器件可靠性测试的基础，涵盖了从基本的物理和化学测试到复杂的功能和环境测试的广泛范围。通过对这些测试的执行，制造商能够确保他们的产品能够满足特定的应用和性能要求，同时也为用户提供了一个关于器件可靠性的参考。