APM3095PUC-TRL-VB MOSFET参数详解与应用

"APM3095PUC-TRL-VB是一款由VBsemi公司生产的MOSFET，采用TO252封装，适用于N+P沟道应用，具有±20V的工作电压范围，以及7A（正向）/ -4.5A（反向）的电流能力。在4.5V的栅极电压下，其正向导通电阻RDS(ON)为20mΩ，而在2.5V的栅极电压下，RDS(ON)为29mΩ。阈值电压为20Vgs（±V），正向阈值电压为0.71V，反向阈值电压为-0.81V。此外，该器件符合无卤素标准，采用TrenchFET®技术，并经过了100%的Rg和UIS测试，适合应用于负载开关和笔记本适配器开关等场景。在1"x1"FR4板上表贴安装，最大结温至150°C时，连续漏源电流ID可达112A，而连续源漏二极管电流IS为4.1A。" APM3095PUC-TRL-VB是一款高性能的MOSFET，其特性与应用如下： 1. **沟道类型**：这款MOSFET为N+P沟道，意味着它具备正向和反向电流通道，能适应各种工作条件。 2. **TrenchFET®技术**：采用了先进的TrenchFET®技术，使得器件拥有更低的导通电阻和更好的热性能。 3. **额定电压与电流**：VDS的最大工作电压为-30V，ID在不同温度下的连续电流分别为7A（25°C）和112A（150°C）。IS的最大值为4.1A。 4. **RDS(ON)**：导通电阻是衡量MOSFET在导通状态下的内部电阻的关键参数，低RDS(ON)意味着更低的功耗和更高的效率。在4.5V和2.5V的栅极电压下，正向RDS(ON)分别为20mΩ和29mΩ。 5. **阈值电压**：VGS阈值电压决定了MOSFET开启和关闭的电压点，20Vgs（±V）表示正负门极电压的阈值，0.71V和-0.81V分别代表正向和反向的阈值电压。 6. **安全操作区域**：100%的Rg和UIS测试确保了MOSFET在过电压条件下的安全性。 7. **应用领域**：适用于负载开关，如电源管理中的开关控制，以及笔记本电脑适配器中的电源切换。 8. **热性能**：器件的热特性包括最大结温TJ为150°C，以及结温到环境的热阻RthJA，在10秒内典型值为38°C/W，最大值为46°C/W。 9. **耐冲击电流与能量**：能承受20mJ的单脉冲雪崩能量，以及最大-20A的雪崩电流。 10. **功率损耗**：在25°C和70°C的环境温度下，最大功率损耗分别为25W和20W。 APM3095PUC-TRL-VB是设计用于高效率、高性能电路的理想选择，尤其在需要低功耗和高电流处理能力的应用中。其出色的热管理和电气特性使其在电源管理、电池充电、开关稳压器以及其他电子设备中表现出色。