P沟道20V MOSFET DMP2215L-7-SOT23-3详细参数与应用

"DMP2215L-7-SOT23-3封装的MOSFET是一款P沟道、20V工作电压、低电阻的半导体元件，适用于需要高效能开关和放大功能的电路设计。该器件在4.5V栅极电压下具有57mΩ的RDS(ON)，在2.5V栅极电压下为83mΩ，其阈值电压为-0.81V。这款MOSFET采用紧凑的SOT23封装，适合空间有限的应用场景。" 详细说明： DMP2215L-7是一款P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），主要特点是其工作在负电压范围，最大漏源电压VDS为-20V，这意味着它可以处理最高20V的电压差。这款MOSFET的最大连续漏极电流ID在不同温度和栅极电压下有所不同：在25°C时，如果VGS为-10V，ID可达-5A；在70°C时，VGS为-4.5V时，ID为-4.8A。此外，还有一个脉冲漏极电流IDM的规格，最大值为-18A。 RDS(ON)是衡量MOSFET导通状态下的电阻的重要参数，数值越小，导通电阻越低，意味着更低的导通损耗。DMP2215L-7在4.5V栅极电压下的RDS(ON)为57mΩ，而在2.5V栅极电压下则为83mΩ。这表示在低电压驱动下，该器件仍能保持相对较低的导通电阻。 该器件的门极-源极电压VGS的绝对最大额定值为±12V，且有对应的栅极电荷Qg，典型值在5ns脉冲下分别为10nC（VGS=-10V）和10nC（VGS=-4.5V）。这影响了MOSFET的开关速度，更小的Qg意味着更快的开关时间。 热特性方面，最大结壳热阻RthJA在5秒脉冲条件下为75至100°C/W，而稳态下Junction-to-Foot（漏极）的RthJF为40至50°C/W。这些数值表明了器件在工作时如何有效地散发热量。 此外，DMP2215L-7的最大功率耗散（PD）在25°C和70°C下分别为2.5W和1.6W，而操作和存储的结温范围为-55°C至150°C。它还符合IEC61249-2-21标准，被认为是不含卤素的环保产品。 DMP2215L-7-SOT23-3封装的MOSFET因其低RDS(ON)、紧凑的封装和良好的热管理性能，适合作为电源开关或放大器应用，特别是在对体积和效率有较高要求的电路设计中。