IBIS模型详解：纯CSS创建圆形旋转菜单的七步骤指南

IBIS模型是一种在电子设计中广泛应用的行为级模拟模型，用于描述电子器件的输入、输出和IO缓冲器的行为特性，以便进行信号完整性仿真和时序分析。它是由ASCII文本文件组成，遵循特定的规范，但规范本身并未详细说明数据获取和使用的具体方法。IBIS模型文件通常包含一个或多个器件定义，每个器件包含管脚、封装电气参数以及与其相关的缓冲器模型。 创建IBIS模型的步骤分为几个关键阶段： 1. **模型概述**：IBIS模型的核心是行为级特性，如VI和Vt曲线，它们代表实体缓冲器的电气性能，如CMOS缓冲器的典型特性。这些曲线提供了电压-电流（I/V）和电压-时间（V/t）关系。 2. **创建流程**： - **准备工作**：了解要建模的器件基本信息，确定获取数据的方法，识别模型中的关键参数点（如“拐角”），并获取额外的必要数据。 - **获取数据**：核心组件包括IBIS缓冲器模型的参数，如封装寄生参数（如电容）、硅片电容的提取，以及不同类型的缓冲器（如电源、地、上拉下拉等）所需的I/V和V/t曲线数据。具体来说，这涉及提取二极管I/V曲线（电源和地）、上拉和下拉设备的I/V曲线，以及解决可能的重复计算问题，同时注意参考电压的选择。 - **V/t曲线**：这个部分涵盖了V/t曲线的提取，这是衡量器件速度的关键参数。 3. **数据录入**：将收集到的数据整理并录入到IBIS文件中，包括文件头信息、元件定义、模型选择器和缓冲器模型的具体参数，如基础参数、模型规格参数和接收器阈值等。 在整个过程中，创建者需要熟悉IBIS规范，知道如何从不同的来源（如测量数据、厂商文档或仿真软件）获取必要的参数，并确保数据的准确性和一致性。上海索弗科技有限公司的文档SFTEC12008提供了详细的指导，作者Daniel Zhong介绍了从准备阶段到数据录入的完整流程，适合初学者逐步学习和实践IBIS模型的生成。