SILVACO-TCAD工艺仿真教程：使用ATHENA模拟NMOS工艺

本文介绍了如何利用SILVACO公司的TCAD工具套件，特别是ATHENA进行工艺仿真，以及如何配置动态数据源以实现SpringBoot、MyBatis和Druid的集成。在半导体制造中，接触孔的形成是关键步骤，为后续的金属淀积提供通道。在金属淀积之前，通过TCAD Silvaco的ATHENA软件进行工艺模拟，能够精确控制晶体管的制造过程。 在TCAD Silvaco中，ATHENA被用于NMOS工艺的仿真，以模拟和优化半导体器件的制造流程。这个过程涉及到多个步骤： 1. **创建仿真网格**：首先，定义一个初始的直角网格，其节点数量直接影响仿真精度和计算时间。在精细的区域，如离子注入或PN结形成的地方，网格需要更密集。 2. **淀积操作**：在例子中，铝的淀积厚度设置为0.03微米，用以模拟金属层的沉积。 3. **几何刻蚀操作**：通过特定的参数设定，模拟材料的去除，形成接触孔的形状。 4. **氧化、扩散、退火和离子注入**：这些步骤是半导体工艺中的核心，用于形成绝缘层、调整载流子浓度以及改善器件性能。 5. **结构操作**：包括保存和加载结构信息，便于分析和迭代优化。 6. **动态数据源配置**：在软件开发领域，通过SpringBoot、MyBatis和Druid的集成，可以实现数据库连接池的动态管理，适应多数据源环境，提高系统的灵活性和可扩展性。 在使用ATHENA时，用户需要通过DeckBuild控制栏上的Cont键来继续仿真，并可视化结构，例如图4.45所示的结果。在进行NMOS工艺仿真时，会创建一个初始的非均匀网格，如图4.3所示，然后在0.6微米×0.8微米的区域内定义不同间距的网格线，以精确模拟晶体管的有源区。 在Y轴上，同样需要定义网格，设置不同位置和间隔，确保整个二维空间的网格分布满足工艺需求。这样的详细仿真有助于理解和优化半导体器件的性能，同时在软件开发层面，动态数据源配置则提供了数据库管理的强大支持。