英飞凌SPP15P10PLH功率晶体管中文规格详解

"SPP15P10PL H INFINEON 英飞凌芯片 中文版规格书手册.pdf" 这篇文章将详细介绍英飞凌公司的SPP15P10PLH SIPMOS® Power-Transistor芯片，这是一款P沟道增强型功率晶体管，适用于逻辑电平控制，并具有雪崩耐受能力，符合欧盟RoHS标准，无铅镀层。以下是对该芯片主要特性和参数的详细解释： 1. 特性： - **P-Channel**：SPP15P10PLH是P沟道类型的MOSFET，意味着在栅极电压低于源极电压时，器件处于关闭状态，提供高阻抗。 - **Enhancement mode**：增强模式意味着当栅极电压达到一定阈值时，晶体管导通，允许电流流过。 - **Logic level**：这种芯片设计适合逻辑电平控制，即可以用标准逻辑电平（如3.3V或5V）来驱动其栅极。 - **Avalanche-rated**：该器件经过雪崩测试，可以在安全范围内承受过载电流，而不会立即损坏。 - **Pb-free lead plating; RoHS compliant**：无铅镀层，符合欧盟的有害物质限制（RoHS）指令，确保环保。 2. 最大额定值： - **Continuous drain current (ID)**：在25°C时连续漏电流为15A，在100°C时降低至11.3A，表明其在不同温度下的工作能力。 - **Pulsed drain current (ID,pulse)**：脉冲漏电流峰值，25°C时的峰值电流。 - **Avalanche energy (EAS)**：单脉冲雪崩能量，表示在特定条件下器件可以承受的最大能量，例如ID = -15A，RGS = 25欧姆时为25mJ。 - **Gate-source voltage (VGS)**：栅极-源极电压最大值为±20V。 - **Power dissipation (Ptot)**：在25°C时的最大功耗为260W。 - **Operating and storage temperature (Tj, Tstg)**：操作和存储温度范围为-60°C到175°C。 - **ESD Class**：静电放电类别，通常与器件对静电敏感程度有关。 - **Soldering temperature**：焊接温度为260°C，符合IEC标准。 3. 参数概览： - **RDS(on),max**：在最大漏电流ID = -15A时，漏源极间电阻的最大值为0.20Ω，这是衡量MOSFET导通状态下电阻的关键参数。 - **Package**：封装类型为PG-TO220-3，是一种常见的三引脚TO-220封装。 - **Marking**：标记代码15P10PL用于识别产品。 - **Leadfree**：该芯片采用无铅工艺制造。 - **Packing**：包装类型为非干燥包装。 4. 热特性： - **Thermal resistance, junction-soldering point (RthJC)**：芯片从结点到焊点的热阻，典型值为1.17 K/W。 - **Thermal resistance, junction-ambient (RthJA)**：结点到环境的热阻，给出了芯片散热效率的指标。 SPP15P10PLH是一款适用于各种电源管理应用的高性能P沟道MOSFET，具备良好的电气和热性能，适用于需要高效、稳定和环保解决方案的领域。