AP4525GEH-VB: N+P双极型40V TO252-5封装MOSFET特性与规格

AP4525GEH-VB是一款采用Trench FET技术的高性能N+P双极型沟道MOSFET，它采用TO252-5封装，适用于高电压、大电流的应用场景。这款MOSFET的主要特点包括： 1. 沟槽MOSFET结构：Trench FET设计提供了低导通电阻（RDS(on））和出色的开关性能，确保了在高工作电压（VDS）下的稳定表现，分别是40V（N-Channel）和-40V（P-Channel）。 2. 严格的测试标准：产品经过100%的Rg和UISTested，确保了在不同条件下的可靠性。但是需要注意，封装规格有限制，且在脉冲测试时，脉宽不能超过300微秒，占空比不超过2%。 3. 热管理参数：对于连续操作条件，N-Channel和P-Channel的RDS(on)在VGS=±10V时分别为0.014Ω和0.014Ω，而在VGS=±4.5V时略有增加。最大持续漏极电流ID和源极电流IS在不同温度下有具体限制，例如25°C下为50A（N-Channel）和-50A（P-Channel）。 4. 脉冲耐受能力：短时间的脉冲电流和单脉冲雪崩电流（IDM）以及能量（EAS）在指定条件下提供保护，如N-Channel的30A和P-Channel的-30A，以及245mJ的能量。 5. 功率处理能力：在25°C下，最大功率耗散为108W（N-Channel）和108W（P-Channel），但在125°C时，这个值下降到32W，表明对散热有较高的要求。 6. 温度范围：该MOSFET适用于广泛的温度工作环境，从-55℃至+175℃，并且建议在260℃的峰值温度下进行焊接。 7. 热阻等级：产品提供了Junction-to-Ambient和PCB之间的热阻参数，这对于设计者理解和优化散热路径至关重要。 AP4525GEH-VB是一种高性能的双极性沟道MOSFET，适合于需要高可靠性和效率的电源转换或开关应用，但在使用时需注意其特定的脉冲测试限制和功率管理需求。设计师在选择和集成此类MOSFET时，应考虑其电气特性和热特性，以确保系统的长期稳定运行。