AP4525GEH-VB: N+P双极型40V TO252-5封装MOSFET特性与规格
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更新于2024-08-03
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AP4525GEH-VB是一款采用Trench FET技术的高性能N+P双极型沟道MOSFET,它采用TO252-5封装,适用于高电压、大电流的应用场景。这款MOSFET的主要特点包括:
1. 沟槽MOSFET结构:Trench FET设计提供了低导通电阻(RDS(on))和出色的开关性能,确保了在高工作电压(VDS)下的稳定表现,分别是40V(N-Channel)和-40V(P-Channel)。
2. 严格的测试标准:产品经过100%的Rg和UISTested,确保了在不同条件下的可靠性。但是需要注意,封装规格有限制,且在脉冲测试时,脉宽不能超过300微秒,占空比不超过2%。
3. 热管理参数:对于连续操作条件,N-Channel和P-Channel的RDS(on)在VGS=±10V时分别为0.014Ω和0.014Ω,而在VGS=±4.5V时略有增加。最大持续漏极电流ID和源极电流IS在不同温度下有具体限制,例如25°C下为50A(N-Channel)和-50A(P-Channel)。
4. 脉冲耐受能力:短时间的脉冲电流和单脉冲雪崩电流(IDM)以及能量(EAS)在指定条件下提供保护,如N-Channel的30A和P-Channel的-30A,以及245mJ的能量。
5. 功率处理能力:在25°C下,最大功率耗散为108W(N-Channel)和108W(P-Channel),但在125°C时,这个值下降到32W,表明对散热有较高的要求。
6. 温度范围:该MOSFET适用于广泛的温度工作环境,从-55℃至+175℃,并且建议在260℃的峰值温度下进行焊接。
7. 热阻等级:产品提供了Junction-to-Ambient和PCB之间的热阻参数,这对于设计者理解和优化散热路径至关重要。
AP4525GEH-VB是一种高性能的双极性沟道MOSFET,适合于需要高可靠性和效率的电源转换或开关应用,但在使用时需注意其特定的脉冲测试限制和功率管理需求。设计师在选择和集成此类MOSFET时,应考虑其电气特性和热特性,以确保系统的长期稳定运行。
2024-09-21 上传
2024-09-13 上传
2021-10-10 上传
2023-06-13 上传
2.已知一棵二叉树的先序序列:A B DF CE G H 和中序序列:B F DA GEH C,(1)画出得到的二叉树;(2)写出此二叉树的后序遍历序列和层次遍历序列:(3)画出由此二叉树转化的森林。
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